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Pressestelle und Crossmedia-Redaktion
Medienspiegel
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Die TU Chemnitz in den Medien – Archiv

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41 Suchergebnisse

2025-11-10 | elektroniknet.de

Supercomputer für autonomes Fahren

28 Partner aus Industrie und Forschung haben mit Mannheim-CeCaS eine zentrale Supercomputing-Plattform fürs Auto entwickelt. Der Demonstrator „Made in Germany“ soll Rechenleistung bündeln, Komplexität reduzieren und den Weg zum sicheren autonomen Fahren ebnen. Die TU Chemnitz ist am Projekt beteiligt.
2025-08-18 | elektroniknet.de

Mehr Reichweite, mehr Effizienz

Der österreichische Mikroelektronikhersteller beteiligt sich an einem Großprojekt, das auf die Entwicklung hochkompakter und intelligenter elektrischer Antriebssysteme abzielt. Zu den Partnern zählen Unternehmen wie Infineon Technologies, Mercedes-Benz, Siemens, Renault-Ampere, Schaeffler, Valeo, TDK Electronics sowie Forschungseinrichtungen wie Fraunhofer IZM, TU Chemnitz, TU Turin, TU Eindhoven, Aalborg University und IMEC.
2024-11-28 | elektroniknet.de

Deutscher Zukunftspreis für »Digitales Licht«

Der Deutsche Zukunftspreis wurde an ein Team von OSRAM und des Fraunhofer IZM vergeben. Ebenfalls nominiert waren Dr. Konrad Schraml und Dr. Caspar Leendertz (Infineon Technologies AG) und Prof. Dr. Thomas Basler (TU Chemnitz) mit ihrem Projekt »Power für die Energiewende – große Antriebe elektrifizieren mit revolutionären Energiesparchips«. Sie wurden von Bundespräsident Steinmeier mit einer Urkunde geehrt und durch die Jury in den »Kreis der Besten« des Deutschen Zukunftspreises aufgenommen.
2024-09-13 | elektroniknet.de

Infineon für Deutschen Zukunftspreis 2024 nominiert

Einem Entwickler-Team von Infineon ist es gemeinsam mit der Technischen Universität Chemnitz gelungen, den weltweit ersten SiC-MOSFET mit vertikalem Kanal (Trench-MOSFET) und innovativer Kupferkontaktierung in der 3300-V-Spannungsklasse zu entwickeln. Bei den SiC-Modulen und den darauf basierenden Stromrichtern soll es sich um einen Innovationssprung in der Halbleitertechnologie, weg von herkömmlichem Silizium hin zu energieeffizienterem Siliziumkarbid, handeln.
2024-02-23 | elektroniknet.de

Erste Wasserstoff-Straßenbahn in Europa Ende 2026

Die Professur Alternative Fahrzeugantriebe der Technischen Universität Chemnitz (TUC) ist Teil eines sächsischen Konsortiums, das Ende 2026 in Görlitz Europas erste Straßenbahn mit Wasserstoffantrieb auf die Schiene bringen will. Für dieses ehrgeizige Projekt wurden Fördermittel von rund acht Millionen Euro zugesagt, von denen 1,2 Millionen Euro an die TUC gehen.
2024-01-08 | elektroniknet.de

Pikonewton-Federn revolutionieren die Biomedizin

Forschende der Technischen Universität Chemnitz, des Shenzhen Institute of Advanced Technology der Chinesischen Akademie der Wissenschaften und des Leibniz-Instituts für Festkörper- und Werkstoffforschung (IFW) Dresden beschreiben in einem Artikel im Fachjournal „Nature Nanotechnology“, wie winzige magnetische Federn medizinische Anwendungen einen großen Schritt weiterbringen können.
2023-03-20 | elektroniknet.de

Vernetzung macht Straßenkreuzungen sicherer

"Dezentraler Kommunikationsraum": Straßenkreuzungen sollen durch Vernetzung noch sicherer werden. Jetzt erfolgte der offizielle Startschuss für das Projekt im Rahmen der Leitinitiative des VDA und mit Konsortialführerschaft von Valeo. Auch die Zulieferer Conti und Denso sowie die Hochschulen Coburg und Chemnitz sind beteiligt.
2022-08-09 | elektroniknet.de

Schneller zur Vorentwicklung und zum Produkt

Mit "Proof-of-Concepts" bietet die Firma Rutronik Elektronische Baueleigene Hard- und Softwarelösungen, die teilweise auf eigenem IP basieren. Bei dem Entstehungsprozess sind auch System- bzw. Entwicklungspartner, wie die Westsächsische Hochschule Zwickau, die TU Chemnitz, die Hochschule Pforzheim und die DHBW involviert. Jeder der genannten Partner hat seinen speziellen Forschungsschwerpunkt in den Bereichen Leistungselektronik, Sensorik, Batteriemanagementsysteme und IoT.
2022-07-15 | elektroniknet.de

Gehäuse für SiC-MOSFETs aus dem 3D-Drucker schaffen +300 °C

Forschende der TU Chemnitz haben Gehäuse für Leistungshalbleiter additiv in einem 3D-Drucker mit nachfolgendem Sintern gefertigt. Diese Gehäuse eignen sich besonders für Siliziumkarbid-MOSFETs und dürften Betriebstemperaturen bis +300 °C gewährleisten.
2022-05-02 | elektroniknet.de

Berührung erstmals aus verschiedenen Richtungen wahrnehmen

Wissenschaftlern der TU Chemnitz und des Leibniz-Instituts IFW in Dresden haben neuen Ansatz zur Miniaturisierung ultra-kompakter und hoch integrierter Sensoreinheiten entwickelt, mit dem für E-Skin-Systemen eine gerichtete Reizempfindlichkeit möglich sein soll.

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