Halbleiterphysik | Institut für Physik | Fakultät für Naturwissenschaften

Mitglieder
Dipl.-Ing. Axel Fechner Prof. Dr. S. Kondratenko (Gast-Wissenshaftler) Ehemalige Mitglieder: Dr. Franziska Lüttich, Dr. Daniel Lehmann, Dipl. Phys. Evelyn Breyer

Mitglieder

Ehemalige Mitglieder:

Themen
Herstellung und Charakterisierung von anorganischen und organischen sowie hybriden elektrischen Bauelementen (Dioden, organische Feldeffekttransistoren (OFETs), organische Solarzellen) Bestimmung von organischen Sub- und Monoschichtmodifikationen der Barrierehöhen in Schottky-Dioden Untersuchung des Einflusses von Dotierstoffen und Verunreinigungen auf das Verhalten elektrischer Bauelemente Profilierung des elektrischen Feldes von OFETs während des Betriebs (KPFM)

Themen

Herstellung und Charakterisierung von anorganischen und organischen sowie hybriden elektrischen Bauelementen (Dioden, organische Feldeffekttransistoren (OFETs), organische Solarzellen)
Bestimmung von organischen Sub- und Monoschichtmodifikationen der Barrierehöhen in Schottky-Dioden
Untersuchung des Einflusses von Dotierstoffen und Verunreinigungen auf das Verhalten elektrischer Bauelemente
Profilierung des elektrischen Feldes von OFETs während des Betriebs (KPFM)

Ausstattung
Keithley- und HP-Quellenmessgeräte für die I/V- und C/V-Charakterisierung im pA-Bereich Transientenspektroskopie auf tiefer Ebene (DLTS) Ladungstransientenspektroskopie (QTS) Anfatec AFM für Kelvin Probe Force Microscopy (KPFM) / Potentiometrie ABET Sonnensimulator Sun 2000 (AM 1.5) Vakuumkammer für In-Situ-Charakterisierung Ofen bis zu 1600 °C

Beispiele

Figure 1 illustrates the principles of organic field-effect transistors. The device consists of 8 individual layers: 1 and 2: metallic back contact layers 3: highly doped silicon substrate 4: SiO₂ insulator 5 and 6: pads for electrical contacting 7: organic thin film – active layer 8: gold top contact with 200 µm to 20 µm gap (actual channel)	Figure 2 shows the wiring inside the vacuum chamber for the in situ characterisation.

An exemplary I-V output characteristic for a pentacene based OFET is given in Figure 3.	During operation of the given OFET, its inherent electric field can be mapped using KPFM. Figure 4 shows the electric field strength for the pentacene OFET at various gate-source voltages.