Pressemitteilung vom 12.08.1999

Tagungsinfo: Neue Metalle für noch schnellere Prozessoren?

Vom 28. bis 30. September 1999 wird der Chemnitzer Mikroelektronik-Experte und Mitglied des Deutschen Wissenschaftsrates Prof. Dr. Thomas Geßner in Orlando (Florida) eine hochkarätige Mikroelektronik-Tagung leiten. Unterstützt wird er dabei von 26 Fachleuten aus aller Welt. Veranstaltet wird die Tagung von der Universität von Kalifornien in Berkeley. Im Mittelpunkt der Konferenz stehen metallische Leitbahnsysteme: "Derartige Leitbahnsysteme sind notwendig, um viele Millionen Transistoren, welche sich heutzutage in den Silizium-Chips befinden, miteinander zu verdrahten", erklärt Prof. Geßner. Im Prinzip funktioniert das System wie bei einem Stapel Leiterplatten, aber eben mit sehr schmalen Leitbahnen und Kontaktlöchern im Mikrometer-Bereich. Die Breite der metallischen Leitbahnen beträgt in den Chips nur noch einen Bruchteil vom Durchmesser eines Menschenhaares. Da andererseits der Widerstand der Leitbahn mit abnehmender Breite ansteigt, müssen neue Materialien mit besseren Eigenschaften gefunden und deren Verträglichkeit mit den Chips untersucht werden, um noch schnellere Prozessoren entwickeln zu können.

Das Zentrum für Mikrotechnologien der TU Chemnitz forscht schon seit mehreren Jahren im Rahmen von nationalen und internationalen Projekten auf diesen Gebieten und kann deshalb auch in den USA einige bemerkenswerte Ergebnisse präsentieren: So gelingt es den Chemnitzer Forschern in ihren Labors, dünne Kupferschichten auf den Chips abzuscheiden und extrem schmale Leitbahnen in diese Schichten zu ätzen. Die Breite der Strukturen liegt dabei unter einem halben Mikrometer (1 Mikrometer entspricht 1 millionstel Meter). Dabei ist eines der wichtigsten Probleme, dass unter den Kupferschichten noch winzig kleine Barrieren eingebaut werden. Diese Barrieren verhindern das Eindringen der Kupfer-Atome in die Siliziumoberfläche, in der sich die Millionen Transistoren und auch die zugehörigen Speicher befinden.

Laut Prof. Geßner diskutieren die Experten auf der internationalen Mikroelektronik-Tagung auch über die Verwendungsmöglichkeiten von Metallen wie Kupfer, den Einsatz von Barrieren aus Tantal oder Titan sowie die Nutzung von Isolatorschichten aus verschiedensten anorganischen oder organischen Stoffen und deren Verhalten bei Ätzprozessen, welche für die Festlegung der gewünschten Geometrien unerlässlich sind.

Weitere Informationen: Prof. Dr. Thomas Geßner, Tel. 03 71/5 31-31 30, Fax 03 71/5 31- 31 31, E-Mail thomas.gessner@infotech.tu-chemnitz.de , Internet: http://www.infotech.tu-chemnitz.de/~zfm/index.html . Im Internet finden Sie auch Infos zur Konferenz unter http://www.berkeley.edu/unex/eng/metal .