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Honorarprofessur Nanoelectronics Technologies
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Jahr 2005

Blaschta,F.; Schulz,S.E.; Gessner,T.: Impact of reducing resist stripping processes at elevated temperature on ULK and HM materials. Materials for Advanced Metallization - MAM, Dresden, 2005 March 6-9; Microelectronic Eng. 82/3-4 (2005) 427-433 (ISSN 0167-9317)
Blaschta,F.; Schulz,S.E.; Gessner,T.: H2-Strip Processes on Low-k Materials, Talk. European Congress on Advanced Materials and Processes EUROMAT, Prague, Czech Republic, 2005 Sep 5-8
Bonitz,J.; Ecke,R.; Schulz,S.E.; Gessner,T.: Different SiH4 Treatments of CVD TiN Barrier Layers . Materials for Advanced Metallization - MAM, Dresden, 2005 March 6-9; Microelectronic Eng. 82/3-4 (2005) 618-622 (ISSN 0167-9317)
Ecke,R.; Schulz,S.E.; Hecker,M.; Engelmann,H.-J.; Gessner,T.: W(Si)N Diffusion Barriers for Cu Metallization deposited by PECVD. Advanced Metallization Conference 2004, San Diego CA, U.S.A., 2004 Oct 19-21; MRS Conf. Proc. AMC XX, Material Research Society, Warrendale PA (2005), pp 793-799 (ISBN 1-55899-814-4 / ISSN 1048-0854)
Fruehauf,S.; Himcinschi,C.; Rennau,M.; Schulze,K.; Schulz,S.E.; Friedrich,M.; Gessner,T.; Zahn,D.R.T.; Le,Q.T.; Caluwaerts,R.: Scaling down thickness of ULK materials for 65nm node and below and its effect on electrical performance. Materials for Advanced Metallization - MAM, Dresden, 2005 March 6-9; Microelectronic Eng. 82/3-4 (2005) 405-410 (ISSN 0167-9317)
Gessner,T.; Schulz,S.E.; Hiller,K.; Otto,T.; Radehaus,C.; Doetzel,W.; Mueller,D.; Loebner,B.; Wanielik,G.; Neubert,U.; Lutz,J.: Profillinie 3: Mikroelektronik und Mikrosystemtechnik. FORSCHUNG MIT PROFIL, pp 1-162 (ISSN 0946-1817)
Gessner,T.; Schulz,S.E.; Schulze,K.; Ecke,R.; Fruehauf,S.; Streiter,R.: Challenges of Advanced Interconnect Systems: Cu diffusion barrier, porous low k dielectrics and thermal issues, Invited Talk. ICMAT 2005, Singapore, 2005 June
Koerner,H.; Bueyuektas,K.; Eisener,B.; Liebmann,R.; Schulz,S.E.; Seidel,U.; Gessner,T.: Impact of Ultra Low k dielectrics on RF-Performance of Inductors. Advanced Metallization Conference 2004, San Diego CA, U.S.A., 2004 Oct 19-21; MRS Conf. Proc. AMC XX, Material Research Society, Warrendale PA (2005), pp 143-149 (ISBN 1-55899-814-4 / ISSN 1048-0854)
Puschmann,R.; Schwarzer,N.; Richter,F.; Fruehauf,S.; Schulz,S.E.: A usable concept for the indentation of thin porous films. Z. Metallkd., 96/11 (2005) pp 1272-1277 (ISSN 0044-3093)
Schmidt,H.; Jakob,A.; Haase,T.; Kohse-Hoeinghaus,K.; Schulz,S.E.; Waechtler,T.; Gessner,T.; Lang,H.: nBu3P-Silber(I)-β-Diketonate: Synthese, Gasphasenuntersuchungen und Verwendung als CVD-Precursoren. Zeitschrift für Anorganische und Allgemeine Chemie, 631 (13-14) (2005) pp 2786-2791 (ISSN 0044-2313)
Schneider,D.; Fruehauf,S.; Schulz,S.E.; Gessner,T.: The current limits of the laser-acoustic test method to characterize low-k films. Materials for Advanced Metallization - MAM, Dresden, 2005 March 6-9; Microelectronic Eng. 82/3-4 (2005) 393-398. (ISSN 0167-9317)
Schulze,K.; Schuldt,U.; Kahle,O.; Schulz,S.E.; Uhlig,M.; Uhlig,C.; Dreyer,C.; Bauer,M.; Gessner,T.: Novel low-k polycyanurates for integrated circuit (IC) metallization. Materials for Advanced Metallization - MAM, Dresden, 2005 March 6-9; Microelectronic Eng. 82/3-4 (2005) 356-361 (ISSN 0167-9317)
Schulze,K.; Schuldt,U.; Kahle,O.; Schulz,S.E.; Uhlig,M.; Uhlig,C.; Dreyer,C.; Bauer,M.; Gessner,T.: Polycyanurates – A Low-k Material Approach. European Congress on Advanced Materials and Processes EUROMAT, Prague, Czech Republic, 2005 Sep 05-08
Schulze,K.; Schulz,S.E.; Rennau,M.; Gessner,T.: Formation of Air Gap structures via wet etch removal of sacrificial dielectrics (Talk). Advanced Metallization Conference (AMC) 2005, Colorado Springs CO (USA), 2005 Sep 27-29
Shen,Y.; Jakob,A.; Djiele,P.; Schulz,S.E.; Gessner,T.; Lang,H.: Phosphane- and Phosphite-Silver(I)-a-Hydroxy-Carboxylates and -Glycinates: Synthesis and their Use as CVD Precursors . J. Organomet. Chem.
Shen,Y.; Rueffer,T.; Schulz,S.E.; Gessner,T.; Wittenbecher,L.; Sterzel,H.-J.; Lang,H.: Me3SiC≡C-CMe=CH2 copper(I) β-diketonates: Synthesis, solid state structure, and low-temperature chemical vapour deposition. Journal of Organometallic Chemistry, 690 (17) (2005) pp 3878-3885 (ISSN 0022-328X)
  • Mehrer Personen stehen in einem Foyer und halten die großen gelben Buchstaben D, G, F und E in den Händen.

    Diskurs über Bildungsungleichheit, Teilhabe und Integration im Kontext von Migration und Flucht

    Professur Allgemeine Erziehungswissenschaft der TU Chemnitz gestaltete Symposium auf dem 30. Kongress der Deutschen Gesellschaft für Erziehungswissenschaft (DGfE) …

  • Porträt eines Mannes

    Schichtungen im Moment des Hörens

    Konzertsymposium „Schichtungen: Chemnitz, Berlin, Wien. In memoriam Peter Ablinger“ bringt vom 21. bis zum 22. Mai 2026 internationale Komponisten und Interpreten, Installationen, Konzeptkunst und wissenschaftliche Perspektiven an die TU Chemnitz und in die Kunstsammlungen Chemnitz …

  • Eine Europa-Tischflagge steht vor einem Globus.

    Diskutieren über Europa

    Professur Europäische Integration mit dem Schwerpunkt Europäische Verwaltung der TU Chemnitz unterstützt am 11. Mai 2026 öffentliche Podiumsdiskussion – Interessierte können sich für die Veranstaltung bis zum 4. Mai anmelden …

  • Fünf Bücher liegen auf einem grünen Sofa.

    Literatur ins Gespräch bringen

    27. Literarisches Quintett verspricht am 5. Mai 2026 wieder bereichernde Analysen, Bücher-Tipps und gute Unterhaltung – langjährige Bibliotheksdirektorin Angela Malz agiert letztmalig auf der Bühne …