Halbleiterphysik | Institut für Physik | Fakultät für Naturwissenschaften

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Nutzung
die spektroskopische Ellipsometrie ist eine schnelle, hochempfindliche und nicht-invasive Technik zur Charakterisierung dünner Schichten sie wird weithin zur Bestimmung der Schichtdicke und der dielektrischen Funktionen eingesetzt, insbesondere bei Halbleitermaterialien das Gerät erfasst die Änderung der Polarisation des reflektierten Lichts als Winkel Ψ und Δ, die dann modelliert werden, um die Dicke und die optischen Konstanten des Materials abzuleiten eine wesentliche Einschränkung ist die indirekte Natur der Analyse, die eine optische Modellanpassung erfordert, um Materialeigenschaften zu extrahieren. dank der Vielseitigkeit dieses Geräts ist es in der Lage, die Morphologie des Films gitterartig abzubilden, indem Daten an mehreren Probenpunkten erfasst werden (Maping) es kann auch als Spektralphotometer umkonfiguriert werden, um die Absorption im Transmissionsmodus zu analysieren.

Nutzung

die spektroskopische Ellipsometrie ist eine schnelle, hochempfindliche und nicht-invasive Technik zur Charakterisierung dünner Schichten
sie wird weithin zur Bestimmung der Schichtdicke und der dielektrischen Funktionen eingesetzt, insbesondere bei Halbleitermaterialien
das Gerät erfasst die Änderung der Polarisation des reflektierten Lichts als Winkel Ψ und Δ, die dann modelliert werden, um die Dicke und die optischen Konstanten des Materials abzuleiten
eine wesentliche Einschränkung ist die indirekte Natur der Analyse, die eine optische Modellanpassung erfordert, um Materialeigenschaften zu extrahieren.
dank der Vielseitigkeit dieses Geräts ist es in der Lage, die Morphologie des Films gitterartig abzubilden, indem Daten an mehreren Probenpunkten erfasst werden (Maping)
es kann auch als Spektralphotometer umkonfiguriert werden, um die Absorption im Transmissionsmodus zu analysieren.

Spezifikationen
75 W Xenon-Lampe Spektralbereich: 5,1 - 0,7 eV (240 - 1770 nm) Spektrale Auflösung: 0,03 eV