Rasterelektronenmikroskop LEO 1455VP (W-Kathode, SE- und Quadranten-RE-Detektor) und Röntgenmikrobereichsanalyse (EDXS / GENESIS)

Technische Angaben:

1. Mikroskop
• Abbildung von Ober-, Schliff- bzw. Bruchflächen von:
  • Ausgangsmaterialien (Pulver, Fasern, Folien)
  • Werkstoffen, Verbundwerkstoffen und Werkstoffverbunden
  • Beschichtungen
  • Bauteilen
• Vergrößerungsbereich: 50-fach bis ca. 10.000-fach
• Detektoren:
  • Kammerdetektor für Sekundärelektronen
  • Kammerdetektor für Rückstreuelektronen
2. Energiedispersive Röntgenmikrobereichsanalyse (EDXS) EDAX Genesis
• Lokale chemische Analyse an ebenen Flächen:
  • für Elemente mit Ordnungzahl Z ≥ 8
  • Nachweisgrenze ca. 0,5 Gew.-% für Z ≥ 11
  • Quantifizierungsfehler ca. 2 Gew.-% für Hauptanteile
  • Arten:
    • Durchschnittsanalyse
    • Phasenanalyse (für Teilchenabmessung > 1 µm)
    • Elementkonzentrationsverteilung entlang einer Geraden (Linescan)
    • Zweidimensionale Elementkonzentrationsverteilung (Mapping)

Untersuchungsmethodik (pdf-Datei - 380kb)

Beispiele