Rasterelektronenmikroskop LEO 1455VP (W-Kathode, SE- und Quadranten-RE-Detektor) und Röntgenmikrobereichsanalyse (EDXS / GENESIS)
Technische Angaben:
- Mikroskop
- Abbildung von Ober-, Schliff- bzw. Bruchflächen von:
- Ausgangsmaterialien (Pulver, Fasern, Folien)
- Werkstoffen, Verbundwerkstoffen und Werkstoffverbunden
- Beschichtungen
- Bauteilen
- Vergrößerungsbereich: 50-fach bis ca. 10.000-fach
- Detektoren:
- Kammerdetektor für Sekundärelektronen
- Kammerdetektor für Rückstreuelektronen
- Energiedispersive Röntgenmikrobereichsanalyse (EDXS) EDAX Genesis
- Lokale chemische Analyse an ebenen Flächen:
- für Elemente mit Ordnungzahl Z ≥ 8
- Nachweisgrenze ca. 0,5 Gew.-% für Z ≥ 11
- Quantifizierungsfehler ca. 2 Gew.-% für Hauptanteile
- Arten:
- Durchschnittsanalyse
- Phasenanalyse (für Teilchenabmessung > 1 µm)
- Elementkonzentrationsverteilung entlang einer Geraden (Linescan)
- Zweidimensionale Elementkonzentrationsverteilung (Mapping)
Untersuchungsmethodik (pdf-Datei - 380kb)
