Feldemissions-Rasterelektronenmikroskop NEON40EsB mit EDXS und EBSD
Technische Angaben:
- Mikroskop
- Abbildung von Ober-, Schliff- bzw. Bruchflächen von:
- Ausgangsmaterialien (Pulver, Fasern, Folien)
- Werkstoffen, Verbundwerkstoffen und Werkstoffverbunden
- Beschichtungen
- Bauteilen
- Vergröerungen: 50-fach bis 200.000-fach (materialabhängig)
- Detektoren:
- Kammerdetektor für Sekundärelektronen
- Kammerdetektor für Rückstreuelektronen
- Inlens-Detektor für Sekundärelektronen
- Inlens-Detektor für Rückstreuelektronen
- STEM-Detektor für TEM-Lamellen
- Energiedispersive Röntgenmikrobereichsanalyse (EDXS) EDAX Genesis
- Lokale chemische Analyse an ebenen Flächen:
- für Elemente mit Ordnungzahl Z ≥ 8
- Nachweisgrenze ca. 0,5 Gew.-% für Z ≥ 11
- Quantifizierungsunsicherheit ca. 2 Gew.-% für Hauptanteile
- Arten:
- Durchschnittsanalyse
- Phasenanalyse (für Teilchenabmessung > 1 µm)
- Elementkonzentrationsverteilung entlang einer Geraden (Linescan)
- Zweidimensionale Elementkonzentrationsverteilung (Mapping)
- Rückstreuelektronenbeugung (EBSD) EDAX TSL, TKD-EBSD (Transmissions-EBSD)
- Orientierungs-Mapping (inverse Polfigur, IPF), Texturanalyse, Verformungsanalyse
- kristallografische Phasenanalyse, Phasen-Mapping
