Dipl.-Ing. Michael Schramm

Arbeitsgebiete

• Forschung:
  • Charakterisierung von integrierten Hochvolt-Bauelementen
  • Parameterextraktion und Modellierung von integrierten Hochvolt-Bauelementen
  • Untersuchungen zur MOS-Detektion für Nano-Resonatoren
• Lehre:
  • Übung "Bauelemente der Mikro- und Nanotechnik"
  • Übung "Micro- and Nanodevices"
  • Übung "Lithografie für Nanosysteme"
  • Mitarbeit am Praktikum "Micro- and Nanodevices"

Veröffentlichungen

• Hafez, N.; Haas, S.; Loebel, K.-U.; Reuter, D.; Ramsbeck, M.; Schramm, M.; Horstmann, J. T.; Otto, T.: Characterisation of MOS Transistors as an Electromechanical Transducer for Stress, Physica Status Solidi (a) - Applications and Materials Science, 10 January 2018, doi:10.1002/pssa.201700680
• Hafez, N.; Ramsbeck, M.; Kögel, E.; Haas, S.; Reuter, D.; Schramm, M.; Loebel, K.-U.; Horstmann, J. T.; Gessner, T.: Electrical Analysis of Integrated Field Effect Transistors as Electromechanical Transducer for Stress, 13. Chemnitzer Fachtagung Mikrosystemtechnik, 25./26.10.2016, ISBN 978-3-00-039162-0
• Haas, S.; Hafez, N.; Loebel, K.-U.; Kögel, E.; Ramsbeck, M.; Reuter, D.; Horstmann, J. T.; Gessner, T.: Direktintegrierte Feldeffekttransistoren als elektromechanische Wandler für mechanische Spannungen an Balkenstrukturen, Mikro-Nano-Integration 6. GMM Workshop, Duisburg, 2016 Okt 05-06
• Hafez, N.; Ramsbeck, M.; Kögel, E.; Haas, S.; Reuter, D.; Schramm, M.; Loebel, K.-U.; Horstmann, J. T.; Gessner, T.: Electrical Analysis of Integrated Field Effect Transistors as Electromechanical Transducer for Stress, 42nd Micro and Nano Engineering, Wien, 2016 Sep 19-23, Poster, p 155
• S. Haas; Schramm, M.; Reuter, D.; Loebel, K.-U.; Horstmann, J. T.; Geßner, T.: Direct Integrated Strain Sensors for Robust Temperature Behaviour, Vortrag, 18th International Conference on Solid-State Sensors, Actuators and Microsystems Transducers, Anchorage (USA), 21.-25.6.2015
• Schramm, M.; Haas, S.; Reuter, D.; Loebel, K.-U.; Heinz, S.; Bertz, A.; Horstmann, J. T.; Geßner, T.: Integration von MOS-Transistoren als Wandler für mechanische Spannungen, Poster, DPG-Frühjahrstagung of the Condensed Matter Section, Dresden, 30.3. - 4.4.2014, ISSN 0420-0195
• Haas, S.; Schramm, M.; Reuter, D.; Loebel, K.-U.; Bertz, A.; Horstmann, J. T.; Geßner, T.: Direct Integration of Field Effect Transistors as Electro Mechanical Transducer for Stress, The 7th International Conference on Sensing Technology, Dec. 3 - Dec. 5, 2013, Wellington, New Zealand
• Haas, S.; Schramm, M.; Heinz, S.; Loebel, K.-U.; Reuter, D.; Bertz, A.; Geßner, T.; Horstmann, J. T.: Direktintegration von Feldeffekttransistoren als elektromechanische Wandler für mechanische Spannungen, Mikrosystemtechnik-Kongress 2013, Aachen, Eurogress, 14.-16. Oktober 2013, Postersession II, ISBN 978-3-8007-3555-6
• Haas, S.; Schramm, M.; Heinz, S.; Loebel, K.-U.; Reuter, D.; Bertz, A.; Geßner, T.; Horstmann, J. T.: Studies on the piezoresistive effect in MOS transistors for use in integrated MEMS sensors, Poster, SmartSystemsIntegration, Amsterdam, The Netherlands, 13-14 March 2013, ISBN 978-3-8007-3490-0
• Haas, S.; Schramm, M.; Heinz, S.; Loebel, K.-U.; Reuter, D.; Bertz, A.; Geßner, T.; Horstmann, J. T.: Untersuchungen zum piezoresistiven Effekt in MOS-Transistoren für die Anwendung in integrierten MEMS-Sensoren (PDF, 1,5 MB), 11. Chemnitzer Fachtagung Mikrosystemtechnik, 23./24.10.2012, ISBN 978-3-00-039162-0
• Fritzsch, M.; Schramm, M.; Erler, K.; Heinz, S.; Horstmann, J. T.; Eckoldt, U.; Kittler, G.; Lerner, R.; Schottmann, K.: Optimization of Trench Manufacturing for a new High-Voltage Semiconductor Technology, IEEE International Symposium on Industrial Electronics (ISIE-2010), Bari, Italy, July 4-7, 2010, ISBN 978-1-4244-6391-6, doi:10.1109/ISIE.2010.5637007
• Kittler, G.; Lerner, R.; Eckoldt, U.; Schottmann, K.; Fritzsch, M.; Schramm, M.; Erler, K.; Heinz, S.; Horstmann, J. T.: Single Trench Isolation for a 650 V SOI Technology with Low Mechanical Stress, 2010 IEEE International SOI Conference, 11-14 October 2010, San Diego, California, ISBN 978-1-4244-9130-8, doi:10.1109/SOI.2010.5641368