Publikationen der Professur - 2010

Publikationen / Vorträge

• Horstmann, J. T.; Kallis, K. T.; Fiedler, H. L.: Reliability and Electrical Parameter Fluctuations of sub-50nm MOS-Transistors, Micromaterials and Nanomaterials 12 (2010), pp. 32-38, ISSN 1619-2486
• Köhler, D.; Pohle, A.; Konietzka, S.; Heinz, S.; Lange, A.; Billep, D.; Forke, R.; Horstmann, J. T.; Loebel, K.-U.; Ramsbeck, M.: Hochpräzise integrierte Sensorsignalverarbeitung zur Anregung, Kalibrierung und Auswertung von MEMS-Gyroskopen, 10. Chemnitzer Fachtagung Mikrosystemtechnik, Chemnitz, 20.-21.10.2010; Proceedings, pp. 129-132, ISBN 978-3-00-032052-1
• Kittler, G.; Lerner, R.; Eckoldt, U.; Schottmann, K.; Fritzsch, M.; Schramm, M.; Erler, K.; Heinz, S.; Horstmann, J. T.: Single Trench Isolation for a 650 V SOI Technology with Low Mechanical Stress, 2010 IEEE International SOI Conference, 11-14 October 2010, San Diego, California, ISBN 978-1-4244-9130-8, doi:10.1109/SOI.2010.5641368
• Kallis, K. T.; Keller, L. O.; Küchenmeister, C.; Horstmann, J. T.; Knoch, J.; Fiedler, H. L.: Nanofin based filaments for sensor applications, 36th International Conference on Micro- and Nanoengineering, MNE '10, September 19-22, 2010, Genoa, Italy, doi:10.1016/j.mee.2011.02.088
• Fritzsch, M.; Schramm, M.; Erler, K.; Heinz, S.; Horstmann, J. T.; Eckoldt, U.; Kittler, G.; Lerner, R.; Schottmann, K.: Optimization of Trench Manufacturing for a new High-Voltage Semiconductor Technology, IEEE International Symposium on Industrial Electronics (ISIE-2010), Bari, Italy, July 4-7, 2010, ISBN 978-1-4244-6391-6, doi:10.1109/ISIE.2010.5637007
• Heinz, S.; Boll, M.; Horstmann, J. T.; Lange, A.; Neumann, U.; Posvic, J.; Seifert, S.; Zielke, S.: The Charge Sensing Device Approach - Sensors for Textile Machines using the natural electrostatic Charge of the Yarn, IEEE International Symposium on Industrial Electronics (ISIE-2010), Bari, Italy, July 4-7, 2010, ISBN 978-1-4244-6391-6, doi:10.1109/ISIE.2010.5637843

Diplom- und Studienarbeiten

• Neubert, M.: Simulation und Design eines integrierten linearen Hochvoltverstärkers, Studienarbeit, Betreuer: Horstmann, J. T.; Ramsbeck, M., Oktober 2010
• Metschnabl, A.: Entwicklung und Entwurf eines integrierten Hardwareinterfaces für induktive Näherungssensoren, Diplomarbeit, Betreuer: Horstmann, J. T.; Boll, M. (EDC GmbH), Oktober 2010
• Seidel, R.: Entwurf eines Operationsverstärkers in einer 0,35-µm-Technologie mit Arbeitsbereich im Bereich schwacher Inversion, Diplomarbeit, Betreuer: Heinz, S., September 2010
• Scheibe, N.: Entwicklung einer monolithisch integrierten 2,44-GHz-Phasenregelschleife in der LFoundry-150-nm-CMOS-Technologie, Diplomarbeit, Betreuer: Horstmann, J. T.; Blum, A. (Landshut Silicon Foundry GmbH), August 2010
• Zielke, S.: Entwicklung eines Gesamtkonzeptes zur rauscharmen Auswertung kapazitiver Sensoren mit einer digitalen Trimmmöglichkeit auf verschiedene Eingangssignalgrößen in einer 0,6-µm-CMOS-Technologie, Diplomarbeit, Betreuer: Horstmann, J. T.; Boll, M. (EDC GmbH), Juli 2010
• Ghosh, J.: Development of a student lecture with the topic "Voltage Controlled Oscillators", Research Project, Betreuer: Ramsbeck, M., Juli 2010
• Konietzka, S.: Entwicklung einer integrierten Schaltung zur Auswertung und Ansteuerung eines mikromechanischen Drehratensensors, Diplomarbeit, Betreuer: Horstmann, J. T.; Heinz, S.; Köhler, D. (EDC GmbH), Mai 2010
• Seidel, R.: MOSFET-Modellierung unter Verwendung des BSIM3v3-Modells mit Schwerpunkt auf dem Bereich schwacher Inversion, Studienarbeit, Betreuer: Heinz, S., Februar 2010