Beschäftigungsangebote der Professur

• Elektrischer und physikalischer Entwurf analoger und mixed-signal Grundschaltungen (Design/Präparation/Charakterisierung eines Analog-ICs)

• Untersuchungen zur Beweglichkeitsmodulation im Silizium durch mechanische Spannungen
  Tätigkeitsbereiche:
  • Literaturrecherche
  • Einarbeitung in die Simulationssoftware Synopsys TCAD
  • Untersuchung des Einflusses von mechanischem Stress auf die Ladungsträgerbeweglichkeit sowie andere zu Sensorzwecken auswertbare Halbleitereigenschaften
  • Optimierung der Membrangeometrie hinsichtlich Stressempfindlichkeit und Flächenbedarf
  Betreuer: Dipl.-Ing. Michael Schramm (Wh321, Tel. 37973)
  
  
• Eine integrierte Hochvoltspannungsversorgung
  Tätigkeitsbereiche:
  • Schaltungsentwurf mit Design Architect von Mentor Graphics
  • Charakterisierung der entworfenen Schaltung durch Simulation mit ELDO
  • Layoutentwurf mit IC Station von Mentor Graphics
  • Literaturrecherche
  Betreuer: Dipl.-Ing. Marco Ramsbeck (Wh369c, Tel. 37731)
  
  
• Entwurf eines Abwärtsschaltreglers für die Ansteuerung von Hochleistungs-LEDs direkt mit 230V-Netzspannung
  Tätigkeitsbereiche:
  • Literaturrecherche zu Schaltungsprinzipien
  • Sicherheitsstandards und -vorschriften
  • Schaltungsentwurf (elektrisch, physikalisch)
  
  
• Einsatzoptimierung von Komponenten eines Transmission-Line-Pulse-Messplatzes
  Tätigkeitsbereiche:
  • Optimierung der Rechnersteuerung
  • Häusung der Komponenten
  • Verifizierung mittels Ausmessung von Teststrukturen
  • Erweiterung für Messungen auf Wafern
  • Literaturrecherche zu Probes
  • Beschaffung oder Eigenkonzeption geeigneter Probes
  
  
• Erarbeitung verallgemeinerungsfähiger Strategien zur Regelung der X-, Y- und Z-Achsen beim elektrochemischen Abtragen unter besonderer Berücksichtigung der Spaltweitenregulierung (SITEC Industrietechnologie GmbH Chemnitz)
  Anforderungen:
  • Kenntnisse in der Sensorik / Messtechnik, speziell im Bereich Distanzmessung
  • Kenntnisse in der Fertigungstechnik sowie Elektrochemie
  • Erfahrungen im Schaltungsentwurf in Eagle, Protel o.ä.
  • Erfahrungen im Schaltungsdesign (Bauelementeauswahl, Gehäuse)
  • Kenntnisse der industriellen Steuerungstechnik (SPS, Beckhoff-Echtzeitsysteme)
  
  
• Entwicklung eines Praktikumsversuches mit dem Thema "Modellierung und Anwendung eines integrierten Widerstandes in einer SBC-Technologie" unter der Designumgebung von Mentor Graphics
  
  
• Erzeugung der Hochvolt-Versorgungsspannung für integrierte Hochvolt-Elektronik
  Tätigkeitsbereiche:
  • Recherche zu Funktionsprinzipien, Schaltungsvarianten, Methoden der Simulation, erreichbaren Kenngrößen, Integrierbarkeit
  
  
• Modellierung von Bauelementen in einer 650V-Technologie
  Tätigkeitsbereiche:
  • Literaturrecherche
  • Aufbau der Testumgebung
  • Durchführung der Testermessungen
  • Optimierungen der extrahierten Modellparameter

• detaillierte Beschreibung zu folgenden Themen (Stand Juli 2013, 12,3 MB):
  • Weiterentwicklung einer multifunktionellen Messplattform
  • Messtechnische Charakterisierung von Hochvoltbauelementen und -strukturen
  • Entwicklung eines Demonstrators zur Veranschaulichung der Stressdetektion in Silizium
  • Aufbau einer Feldbuskommunikationsstrecke
  • Charakterisierung von Hochvolt-Schaltkreisen für die Ansteuerung von Leistungshalbleitern

• Optimierung von Transistor-Layouts bzgl. der Durchbruchspannung durch lichtemissions-mikroskopische Messungen und begleitende Bauelement-Simulationen (Mikroskopie, Simulationen, Layoutvorschläge, siehe auch hier)
  
  Die Tätigkeit kann sowohl an der TU Chemnitz als auch bei Siemens Nürnberg erfolgen. Auch ein anderer Rahmen (z.B. Bachelor- oder Masterarbeit) ist möglich.
  Bei Interesse wenden Sie sich bitte an Dr. S. Heinz (Wh320, Tel. 30900).

Zur Zeit sind keine freien Stellen verfügbar.

• Entwurf eines universellen Kommunikationsinterfaces zur störsicheren Datenübertragung
  
  
• Entwurf eines schnellen Analog-Digital-Wandlers in einer 0,18-µm-Technologie für monolithisch integrierte Systeme
  
  
• Aufbau eines microcontrollergesteuerten Demonstrators für monolithischen MOS-Drucksensor
  
  
• Charakterisierung und Evaluierung innovativer Strukturen in einer 1,0-µm-650-V-Halbleitertechnologie