Dr. Sebastian Imhof
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Ausbildung:
| 2003 | Abitur am Landschulheim Steinmühle, Marburg |
| 2004-2008 | Studium der Physik an der Philipps-Universität Marburg |
| 2008 | Diplomarbeit in der AG Theoretische Halbleiterphysik (Prof. S. W. Koch), Thema: "Mikroskopische Modellierung dichteabhäniger Photoreflexionsspektren in Halbleiterheterostrukturen" |
| 2008-2011 | Doktorand in der AG Simulation neuer Materialien |
| 2011 | Dreimonatiger Forschungsaufenthalt an der University of Toronto als DAAD Stipendiat |
| 2011 | Promotion zum Thema: "Mikroskopische Theorie der optischen Eigenschaften indirekter Halbleiter-Quantenfilme" |
| 2011-2012 | Elternzeit |
| 2012-jetzt | Mitarbeiter von Osram, Regensburg |
Forschungsgebiet:
Optische Eigenschaften indirekter Halbleiter, Unordnungseffekte in neuen Halbleitermaterialien
Veröffentlichungen:
K. Kolata, S. Imhof, N. S. Köster, S. Cecchi, D. Chrastina, G. Isella, J. E. Sipe, A. Thränhardt, and S. Chatterjee,
Hole system heating by ultrafast interband energy transfer in optically excited Ge/SiGe quantum wells, Phys. Rev. B 85, 165312 (2012)
S. Imhof, Mikroskopische Theorie der optischen Eigenschaften indirekter Halbleiter-Quantenfilme, Dissertation (2012)
S. Imhof, C. Wagner, A. Thränhardt, A. Chernikov, M. Koch, N. S. Köster, K. Kolata, S. Chatterjee, S. W. Koch, O. Rubel, X. Lu, S. R. Johnson, D. A. Beaton, and T. Tiedje,
Luminescence dynamics in Ga(AsBi), Appl. Phys. Lett. 98, 161104 (2011)
S. Imhof, C. Wagner, A. Chernikov, M. Koch, N. S. Köster, K. Kolata, S. Chatterjee, S. W. Koch, X. Lu, S. R. Johnson, D. A. Beaton, T. Tiedje, O. Rubel, and A. Thränhardt,
Evidence of two disorder scales Ga(AsBi), Phys. Status Solidi B 248, 851–854 (2011)
S. Imhof and A. Thränhardt,
Phonon-assisted transitions and optical gain in indirect semiconductors, Phys. Rev. B 82, 085303 (2010)
S. Imhof, A. Thränhardt, A. Chernikov, M. Koch, N. S. Köster, K. Kolata, S. Chatterjee, S. W. Koch, X. Lu, S. R. Johnson, D. A. Beaton, T. Tiedje, and O. Rubel,
Clustering Effects in Ga(AsBi), Appl. Phys. Lett. 96 , 131115 (2010)
C. Bückers, E. Kühn, C. Schlichenmaier, S. Imhof, A. Thränhardt, J. Hader, J. V. Moloney, O. Rubel, W. Zhang, T. Ackemann, S. W. Koch,
Quantum modeling of semiconductor gain materials and vertical-external-cavity surface-emitting laser systems, Phys. Stat. Sol. (b) 247, 789-808 (2010)
C. Bückers, S. Imhof, A. Thränhardt, J. Hader, J.V. Moloney and S. W. Koch,
Microscopic modeling of quantum well gain media for VECSEL applications, IEEE J. Sel. Topics in Quantum Electron. 15, 984 (2009)
S. Imhof, C. Bückers, A. Thränhardt, J. Hader, J.V. Moloney and S. W. Koch,
Microscopic theory of the optical properties of Ga(AsBi)/GaAs quantum wells, Semicond. Sci. Technol. 23, 125009 (2008)
Konferenzen / Seminare / Vorträge:
18. Juli 2011
2nd International Workshop on Bismuth-Containing Semiconductors: Theory, Simulation, and Experiment, Guildford (UK)
Eingeladener Vortrag: Luminescence Dynamics in Ga(AsBi)
17. August 2010
10th International Workshop on Nonlinear Optics and Excitation Kinetics in Semiconductors (NOEKS), Paderborn
Posterbeitrag: Disorder Effects in Ga(AsBi)
15. Juli 2010
1st International Workshop on Bismuth-Containing Semiconductors: Theory, Simulation, and Experiment, Ann Arbor (USA)
Vortrag: Clustering Effects in Ga(AsBi)
25. März 2010
Frühjahrstagung der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, Regensburg
Posterbeitrag: Disorder Effects in Ga(AsBi)
24. März 2009
Frühjahrstagung der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, Dresden
Vortrag: Microscopic theory of the optical properties of Ga(AsBi)/GaAs quantum wells
26. Februar 2008
Frühjahrstagung der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, Berlin
Posterbeitrag: Characterization of GaSb-based heterostructures by spectroscopic investigations
