Technische Ausstattung
Bei Fragen zu den Methoden und Geräten können Sie uns gern kontaktieren.
Rastersondenmikroskopie
Tieftemperatur-STM
- Rastertunnelmikroskopie/spektroskopie bei Tieftemperatur bis zu 4.5 K
- In situ epitaxiales Wachstum von molekularen Adlayern
- Elektrospray-System zur Abscheidung von großen und fragilen Molekülen
- LEED-Messungen (Low Energy Electron Diffraction)

Variable Temperatur STM
- In situ epitaxiales Wachstum von molekularen Adlayern
- Tieftemperatur-Rastertunnelmikroskopie mit fließendem Kryostat
- Sputtertemperzyklen von Metallkristallen


Burleigh ambient STM
- Ambient STM
- Elektronisches Steuerungssystem von Burleigh Instructional STM
- Rasterkraftmikroskop (Burleigh)
- Rasterelektrisches Kraftmikroskop (SEFM) (Erweiterung von TopoMetrix AFM)

Elektronenmikroskopie
Spectra 300 – Doppelt korrigiertes S/TEM
- Schottky-Emitter (X-FEG) und Monochromator
- variable Beschleunigungsspannung zwischen 30...300 kV (justiert für 60, 200 und 300 kV)
- Strahl- und Abbildungskorrektor
- Auflösung in STEM (300 kV: <50 pm) und TEM (300 kV: 60 pm)
- umfangreiches Detektorsystem inkl. 4k×4k px Ceta-Kamera und 128×128 px Pixel-segmentierter Detektor
- 4-Detektor Super-X EDX System
- EELS System basierend auf Selectris Energiefilter

FEI Nova NanoSEM 200
- Schottky Field Emission Gun
- Rückstreuelektronen
- Analytische Detektoren für:
- Röntgen-Mikroanalyse
- Electron Backscattering Diffraction (EBSD)
- Cathodolumineszenz

Spektroskopie
EELS - LEED
- EELS-LEED: Elektronenenergieverlustspektroskopie - Beugung niederenergetischer Elektronen an Oberflächen
- Ausgestattet mit einer Ablenkeinheit ermöglicht es eine präzise Steuerung der Impulsübertragung
- Es wird eine hohe Energieauflösung erreicht
- 0,01 InvAngstrom-Impuls und 10 meV Energieauflösung
- Misst Anregungen mit niedriger Energie (Plasmonen).
- Unikat

Beugung
SPA - LEED
- SPA-LEED: Punkt Profil Analyse - Beugung niederenergetischer Elektronen an Oberflächen
- Eigenentwicklung von M. Henzler
- Zwei Geometrien im reziproken Raum: normale Einfallsgeometrie und streifende Einfallsgeometrie
- Niedrigauflösender Rasterelektronenmikroskopie-Modus
- CEM (Channeltron Electron Multiplier) analysiert die reflektierte Intensität und ermöglicht die Aufzeichnung von Spotprofilen

Transport
Vier-Spitzen-STM/SEM (4pp-STM/SEM)
- Transportexperimente bis in den Nanobereich
- Vier individuell gesteuerte STM-Spitzen
- Hochauflösendes REM zur Beobachtung und Elektronenstrahllithographie
- Durchflusskryostat für einen weiten Temperaturbereich
- In situ epitaktisches Schichtwachstum und Charakterisierung durch LEED

Magnetotransport
- Elektronischer Transport in niedrigdimensionalen Nanostrukturen in Abhängigkeit von einem Magnetfeld von -4 bis +4 T.
- Der Winkel zwischen Magnetfeld und Probe ist frei einstellbar
- Temperaturabhängiger Transport von 10 bis 400 K.
- In-situ-Wachstum von epitaktischen Dünnfilmen
- LEED-Messungen (Low Energy Electron Diffraction)
Mechanisch kontrollierte Bruchkontakte
MCBJ
- Kontaktierung von Einzelmolekülen
- Kühlung bis 70K
- Stabile atomare Punktkontakte bis zu 1 Stunde
Lichtmikroskopie
Keyence Digital Microscope VHX-500
- Durchlicht- und Auflichtbetrieb
- Verschiedene Objektivlinsen
- Kameraauflösung 1600x1200 px
