Studieninhalte
- Motivation
- professioneller Einblick in das Gebiet der Mikroelektronik
- Kennenlernen von "state of the art"-Soft- und Hardware
- praktische Arbeiten in den Gebieten
- integrierter Entwurf
- Parameterextraktion
- Messung auf Waferlevel und Diskret
- Modellierung
- Exkursion zu einer Foundry
- Überblick
- Aufgabengebiete der Mikroelektronik
- Vorstellung des Labors (virtueller Rundgang)
- Präsentation der aktuellen Forschungsaktivität
- Entwurf und Simulation eines einfachen Operationsverstärkers
- Dimensionierung
- Gleichstromverhalten
- Bode-Diagramm
- Layoutentwurf
- Layout des Operationsverstärkers aus voriger Einheit
- Voraussetzungen und Bestandteile Layoutentwurf
- Begriffe und Techniken wie Layer, DRC, LVS, PEX, Dummy-Strukturen usw.
- Einblick in an der Professur entwickelten integrierten Hochvoltverstärker
- Entwurfsprozess digitale Schaltung
- Spezifikation
- VHDL-Code
- Simulation (QuestaSim)
- Synthese (LeonardoSpectrum)
- Layout (IC Station)
- Einführung automatisiertes Messen
- Messungen
- Waferprobermessung - Flusskennlinie Hochvolt-Diode
- Temperaturschrank - Ausgangskennlinienfeld Bipolar-Kleinsignaltransistor bei -40 °C < T < 150 °C
- diskret - Ausgangskennlinienfeld Hochvolt-DMOS
- Modellierung
- Was ist Modellierung?
- Beispiel IC-CAP
- Exkursion in Chipschmiede
Studiengänge / -gruppen
- Wahlfach im 6. Semester des Bachelor-Studiengangs Elektrotechnik - Berufsfeld / Vertiefungsrichtung Mikro- und Nanoelektronik (B_ETMN6)
- Wahlfach im 2. Semester des Master-Studiengangs Mikrosysteme und Mikroelektronik - Berufsfeld / Vertiefungsrichtung Mikro- und Nanoelektronik (M_MSMN2)
Zeitplan aktuelles Semester
| LV | Wochentag | Seminargruppen | Zeit | Ort | Beginn |
P | donnerstags, 2. Wo | B_ETMN6, M_MSMN2 | 13:45-17:00 Uhr | C25.366 | |
Die konkreten Praktikumstermine werden in der Vorlesung "Physikalischer und elektrischer Entwurf" bekanntgegeben.
Prüfung aktuelles Semester
Eine Prüfung für dieses fakultative Praktikum ist nicht vorgesehen.
