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Professur für Leistungselektronik
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Herzlich Willkommen auf den Seiten der Professur für Leistungselektronik!

   

 

Die Forschungsschwerpunkte der Professur für Leistungselektronik befinden sich im Bereich der Robustheit und Zuverlässigkeit von Leistungshalbleiter-Bauelementen. Der Fokus ist vor allem in den Bereichen der Überlastfähigkeit (Kurzschluss, Stoßstrom, Avalanche) und der Lastwechselfestigkeit gesetzt. Dabei werden die unterschiedlichen Halbleitermaterialien Si, SiC, GaN berücksichtigt. Halbleiter- und thermo-mechanische Simulationen auf FEM Basis finden Anwendung, um das Verständnis interner physikalischer Vorgänge im Detail zu beleuchten.
Bis 2020 wurde die Professur von Prof. Dr.-Ing. Prof. h.c. Josef Lutz geleitet und danach von Prof. Dr.-Ing. Thomas Basler übernommen.

Neuigkeiten und Aktuelles

Liebe Studierende,

aufgrund der derzeitigen Lage, wird Ihnen das Lehrangebot der Professur für Leistungselektronik vornehmlich online zur Verfügung gestellt. Vorlesungen, Übungen und Praktika finden gemäß dem Vorlesungsverzeichnis Ihres Studiengangs online statt. Einzig das Praktikum LE01 findet in präenz statt. Es ist vorgesehen, dass die Vorlesung gestreamt wird und Sie per Chat-Funktion mit dem Dozenten interagieren können. Die Teilnahme an Lehrveranstaltungen ist lediglich zur ausgewiesenen Zeit möglich. Es sei zu beachten, dass Lehrveranstaltungen nicht aufgezeichnet und zur Verfügung gestellt werden. Es werden weiterhin Lehrunterlagen im Dowloadbereich zur Verfügung stehen. Den Zugriff zum entsprechenden Stream können Sie zeitnah im Reiter -Lehre- oder unter -Lehrveranstaltungen- über OPAL abrufen. Weitere Informationen zu den Lehrveranstaltungen werden während der ersten Einheiten gegeben.

Wir wünschen Ihnen trotz der besonderen Umstände einen möglichst erfolgreichen Einstieg in das neue Semester.

Das aktuelle Lehrangebot sowie die Zugriffslinks zu den Lehrveranstaltungen finden Sie hier: und im Reiter Lehrveranstaltungen. Die Einführungsveranstaltung zum Praktikum Leistungselektronik findet in diesem Semester online am 15.04.2021 um 7:30 Uhr statt. Die Einschreibung zum Praktikum erfolgt im OPAL unter folgendem Link. Die Praktikumsgruppen wurden wie folgt eingeteilt: . Sollten Sie bereits erfolgreich am Praktikum teilgenommen haben oder einzelne Versuche erfolgreich abgelegt haben, so bitten wir um zeitnahe Kontaktaufnahme ihrerseits.

In seinem Vortrag (online verfügbar) im Rahmen der TUC Tage 2021 stellte Prof. Basler für Schüler und andere Interessierte die Bedeutung der Leistungselektronik als Kernkomponente der Energiewende heraus.

Vortrag zum Thema: Reliability and Robustness of SiC MOSFETs von Prof. Basler. Weitere Informationen zur Anmeldung und zum Programm finden Sie >hier<

Christian Schwabe, Doktorand an der Professur für Leistungselektronik der Technischen Universität Chemnitz, erhielt auf der „PCIM Europe 2021“, der größten Konferenz für Leistungselektronik in Europa, den Young Engineer Award. Der Artikel dazu ist auf der TU Homepage oder als einsehbar.

Die aktuelle Veröffentlichung, bei der auch Forscher der Professur für Leistungselektronik die Co-Autorschaft begleiten, steht bei Elsevier bis zum 09. Juli frei zur Verfügung.

Den vollständigen Artikel zur Auszeichnung finden Sie hier:

[...] Ältere Veröffenlichungen

Aktuelle Veröffentlichungen

Nr. Titel Autoren Jahr
1 Influence of Lateral Temperature Gradients on the Failure Modes at Power Cycling Liu, Xing et al. 2021
2 Influence of power cycling ageing on the current and voltage transitions during hard switching of IGBT devices Deng, Erping* et al. 2021
3 Investigation of the bipolar degradation of SiC MOSFET body diodes and the influence of current density Palanisamy, Shanmuganathan* et al. 2021
4 A High-Voltage Transients Suppressor Diode Beninger-Bina, Markus et al. 2020
5 Aufbau und Verbindungstechnik ist besonderer Schwerpunkt der PCIM Europe 2020 Lutz, Josef* 2020
6 Avalanche Ruggedness of SiC MPS Diodes Under Repetitive Unclamped-Inductive-Switching Stress Palanisamy, Shanmuganathan et al. 2020
7 Correction of Delay-Time-Induced Maximum Junction Temperature Offset during Electrothermal Characterization of IGBT Devices Deng, Erping* et al. 2020
8 Current filament behavior in IGBTs of different voltage classes investigated by measurements and simulations Bhojani, Riteshkumar et al. 2020
9 Elektrische Baugruppe, die eine bipolare Schaltvorrichtung und einen selbstleitenden Transistor mit breiter Bandlücke umfasst, und eine elektrische Baugruppe, die eine bipolare Schaltvorrichtung und einen selbstleitenden Junction-Feldeffekttransistor umfasst, der einen Halbleiterbereich aus Siliziumcarbid umfasst Basler, Thomas et al. 2020
10 GRABENSTRUKTUR ENTHALTENDE HALBLEITERVORRICHTUNG UND HERSTELLUNGSVERFAHREN Basler, Thomas et al. 2020