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Professur für Leistungselektronik
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Professur für Leistungselektronik 
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Herzlich Willkommen auf den Seiten der Professur für Leistungselektronik!

Die Forschungsschwerpunkte der Professur für Leistungselektronik befinden sich im Bereich der Robustheit und Zuverlässigkeit von Leistungshalbleiter-Bauelementen. Der Fokus ist vor allem in den Bereichen der Überlastfähigkeit (Kurzschluss, Stoßstrom, Avalanche) und der Lastwechselfestigkeit gesetzt. Dabei werden die unterschiedlichen Halbleitermaterialien Si, SiC, GaN berücksichtigt. Halbleiter- und thermo-mechanische Simulationen auf FEM Basis finden Anwendung, um das Verständnis interner physikalischer Vorgänge im Detail zu beleuchten.
Bis 2020 wurde die Professur von Prof. Dr.-Ing. Prof. h.c. Josef Lutz geleitet und danach von Prof. Dr.-Ing. Thomas Basler übernommen.

Neuigkeiten und Aktuelles

Vom 27.8. bis 29.8. 2025 findet in Prag das „International Seminar on Power Devices“ ISPS statt. Schwerpunkt ist dort die Diskussion des Fortschritts bei neuen Halbleiter-Bauelementen. Die TU Chemnitz stellt mit Prof. Dr. Josef Lutz den Chairman des INTERNATIONAL PROGRAMME COMMITTEE. Im Programm der Konferenz sind Doktoranden des Lehrstuhls mit vier Beiträgen vertreten und werden eine starke Präsenz zeigen. Das hochkarätige Programm ist hier zu finden.

Auf der hochkarätigen ISPSD‘25 Leistungshalbleiter-Konferenz in Kumamoto, Japan konnten Doktoranden und Ehemalige der Professur für Leistungselektronik an der TU Chemnitz Ihre Beiträge platzieren. Mit insgesamt nur 10 angenommenen Papern aus Deutschland ist die direkte Beteiligung aus Chemnitz mit 2 eigenen Vorträgen und 2 Postern besonders hervorzuheben. ISPSD2025

   

Artikel bei MDR Wissen zum Thema „Erneuerbare Energien und der Strommarkt“ unter Beteiligung von Prof. Basler. --> zum Artikel

Hocheffizientes Leistungshalbleiter-Modul, das zuverlässiger, schneller und leistungsstärker als bisher Strom in hohen Spannungsklassen schaltet, leistet wichtigen Betrag zur Energiewende --> Artikel(1) der TUC | Artikel(2) der TUC
Chemnitz mischt beim Deutschen Zukunftspreis mit --> Artikel der Zeit

   

Für seine herausragende Dissertation mit dem Thema: Investigation of thermomechanical fatigue processes in power electronic packages with experiment and simulation wurde Dr. Christian Schwabe mit dem renommierten Johann-Andreas-Schubert-Preis ausgezeichnet. Den kompletten Artikel können Sie hier einsehen.

Professur Leistungselektronik der TU Chemnitz bringt ihre Expertise zur Zuverlässigkeits- und Robustheitsanalyse von Siliziumkarbid-Leistungshalbleitern sowie zur präzisen Lebensdauervorhersage in das EU-Projekt „FASTLANE“ ein. Den kompletten Artikel können Sie hier einsehen.

Der MDR fragt in einem Interview Prof. Thomas Basler zum Thema: "Comeback der Atomkraftwerke?". Der komplette Beitrag ist in der MDR Mediathek ab 5:28 Minuten mit Chemnitzer Beteiligung zu sehen.

Im online Format der PCIM Europe wurde ein Artikel von Prof. Basler mit dem Titel: "Power electronics in the fight against climate change" veröffentlicht

Dr. Dong Xie erhielt für seine Posterpräsentation zur Konferenz IPEMC 2024-ECCE Asien mit dem Thema "Fault Diagnosis for the Cascaded H-Bridge Multilevel Converter Considering Fault Coupling Between Switches and Sensors" eine besondere Auszeichnung.

Weitere Informationen

Für Ihre Abschlussarbeit zum Thema: Optimierung und Analyse einer SiC JFET Kaskode für hartes und schnelles Schalten an induktiver Last, wurde Josephine Dukar mit dem Eleonore-Dießner-Preisausgezeichnet. Den vollständigen Artikel können Sie hier einsehen: Link

Den vollständigen Artikel zur Auszeichnung finden Sie hier:

[...] Ältere Veröffenlichungen

Aktuelle Veröffentlichungen

Nr. Titel Autoren Jahr
1 Advanced power cycling test strategies on discrete SiC MOSFETs in different operating modes and the impact on lifetime Hein, Lukas* et al. 2025
2 Analysis of Aged Power Modules considering the Loss Calculation of a Heavy-Duty Fuel Cell Truck Gürlek, Yavuz* et al. 2025
3 Analysis of Aged SiC MOSFET and Si IGBT Power Modules considering the Loss Calculation of a Heavy-Duty Fuel Cell Truck Gürlek, Yavuz* et al. 2025
4 Factors Influencing the Power Cycling Lifetime of Paralleled IGBT Chips Abuogo, James et al. 2025
5 Impact of IGBT emitter pad design and front-side aging on switching stability and temperature distribution Bäumler, Christian* et al. 2025
6 Influence of Low Temperature Swings and Short Heating Times on the Power Cycling Capability of IGBTs in Discrete Housings Heimler, Patrick* et al. 2025
7 Influence of Switching Loss Magnitude on Lifetime During a Switch-Mode Power Cycling Test of SiC MOSFETs Abuogo, James* et al. 2025
8 Influence of the Gate Switching Instability Induced Threshold Voltage Drift on the Hard Switching Behavior of 1.2 kV SiC MOSFETs Boldyrjew-Mast, Roman* et al. 2025
9 Investigation on the High Temperature Behaviour of p-GaN HEMTs by Different Temperature Sensitive Electrical Parameters Hein, Lukas* et al. 2025
10 Investigation on the Short-Circuit Behavior of HV-SiC-MOSFETs in Quasi Series Connection Gesele, Felix et al. 2025