lifetime modelling
and above the semiconductor limits
and special phenomena
semiconductor test solutions
Herzlich Willkommen auf den Seiten der Professur für Leistungselektronik!
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Die Forschungsschwerpunkte der Professur für Leistungselektronik befinden sich im Bereich der Robustheit und Zuverlässigkeit von Leistungshalbleiter-Bauelementen.
Der Fokus ist vor allem in den Bereichen der Überlastfähigkeit (Kurzschluss, Stoßstrom, Avalanche) und der Lastwechselfestigkeit gesetzt. Dabei werden die unterschiedlichen Halbleitermaterialien Si, SiC,
GaN berücksichtigt. Halbleiter- und thermo-mechanische Simulationen auf FEM Basis finden Anwendung, um das Verständnis interner physikalischer Vorgänge im Detail zu beleuchten.
Bis 2020 wurde die Professur von Prof. Dr.-Ing. Prof. h.c. Josef Lutz geleitet und danach von Prof. Dr.-Ing. Thomas Basler übernommen.
Neuigkeiten und Aktuelles
Referenten: Ing. Valérie Montabonnet und Dr.-Ing. Davide Aguglia, CERN. Die Veranstaltung beginnt 15:30 Uhr im Raum 2/N112.
Weitere Informationen
Referenten: Dr.-Ing. Alexander Rambetius, Valeo Siemens. Die Veranstaltung beginnt 15:30 Uhr im Raum 2/N113.
Weitere Informationen
Der kürzlich von Projessor Lutz und Professor Basler veröffentlichte Artikel im ETG journal kann hier eingesehen werden:
PDF
Für Ihre Abschlussarbeit zum Thema: Optimierung und Analyse einer SiC JFET Kaskode für hartes und schnelles Schalten an induktiver Last, wurde Josephine Dukar mit dem Eleonore-Dießner-Preisausgezeichnet. Den vollständigen Artikel können Sie hier einsehen: Link
Den vollständigen Artikel zur Auszeichnung finden Sie hier:
[...] Ältere Veröffenlichungen