Ausstattung

Röntgenphotoelektronenspektrometer (XPS) Ultrahochvakuumkammer mit Photoelektronenanalysator (Specs Phoibos 150 mit 9 Channeltrons) Monochromatisierte Röntgenquelle (Specs Focus 500) für Al K_α und Ag L_α Elektronenkanone zur Ladungskompensation Probenmanipulator mit Heizung bis 1200 °C Ar-Ionenquelle (Sputterkanone) LEED-Optik Ports für Verdampfer, Quarzwaage, Massenspektrometer, etc. Typische Anwendungen: Analyse chemischer Zusammensetzung von Festkörpern, dünnen Schichten und Oberflächen Analyse von Grenzflächen zwischen Substraten und dünnen Schichten Elektronische und atomare Struktur von Oberflächen
	Si2p-Spektrum einer mit Wasserstoff terminierten Si(111)-Oberfläche.
Spektrometer für winkelaufgelöste Photoelektronenspektroskopie (ARPES) System bestehend aus einer Analysekammer mit Photoelektronenanalysator (Specs Phoibos 150 mit 2D-CCD-Detektor) Monochromatisierte Röntgenquelle (Specs Focus 500) für Al K_α und Ag L_α UV-Quelle (Specs UVS 300) mit Monochromator (Specs TMM 304) für linear polarisierte HeI- und HeII-Strahlung, Polarisation um 90° rotierbar 5-Achsen Probenmanipulator mit He-Kühlung bis ca. 20 K und einer Präparationskammer mit Probenmanipulator mit Heizung bis ca. 1000 °C und Kühlung bis ca. 100 K Ar-Ionenquelle (Sputterkanone) LEED-Optik Ports für Verdampfer, etc. Typische Anwendungen: Elektronische Bandstruktur von Festkörpern und Oberflächen Analyse chemischer Zusammensetzung von Festkörpern, dünnen Schichten und Oberflächen Analyse von Grenzflächen zwischen Substraten und dünnen Schichten Strukturelle Eigenschaften von Oberflächen
	Oberflächenzustand von Au(111). (Monochrom. HeI, E_Pass =5 eV, T_Probe=20K)
Niederenergieelektronenmikroskop (LEEM) System bestehend aus einer Analysenkammer mit Niederenergieelektronenmikroskop (Specs FE-LEEM P90) Hg-Lampe für PEEM UV-Quelle für PEEM Probenheizung bis ca. 1100 °C und einer Präparationskammer mit Ar-Ionenquelle (Sputterkanone) Probenheizung bis ca. 1100 °C Typische Anwendungen: Untersuchung von Schichtwachstum Strukturelle und elektronische Eigenschaften von Oberflächen und dünnen Schichten
	(a) LEEM Hellfeld-Aufnahme E_LEEM = 2.6 eV) von Graphen auf 4H-SiC(1-100). (b) Typische Reflektivitätsspektren der Bereiche unterschiedlicher Schichtdicke. (c) Falschfarbenabbildung zur Darstellung der Schichtdickenverteilung. Aus M. Ostler et al., Phys. Rev. B 88 (2013) 085408.
Hochauflösendes Elektronenenergieverlustspektrometer (HREELS) Ultrahochvakuumsystem bestehend aus einer Analysekammer mit HREELS-Spektrometer (Omicron IB500) Manipulator mit Kühlung bis ca. 100 K LEED-Optik Photoelektronenanalysator (Omicron EA125) Röntgenquelle für Mg K_α (nicht monochromatisch) und einer Präparationskammer mit Manipulator mit Probenheizung bis ca. 1100 °C Ar-Ionenquelle (Sputterkanone) Ports für Verdampfer, etc. Typische Anwendungen: Analyse von Phononen und Plasmonen an Festkörperoberflächen
	Dispersion der gekoppelten Plasmon-Phonon-Mode einer Graphendoppellage auf Siliziumkarbid.
Rasterkraftmikroskop (AFM) System bestehend aus Rasterkraftmikroskop (Park Systems XE100) unter Atmosphärenbedingungen mit optischem Mikroskop, motorisierter Probenaufnahme, separaten z- und x/y-Scannern Scanner für Bereiche von max. 5x5 µm² und max. 100x100 µm² Akustischer Einhausung Aktiver Schwingungsdämpfung (Accurion) Typ. Anwendungen: Untersuchung der Struktur und Morphologie von Oberflächen und dünnen Filmen
	AFM-Bilder einer 6H-SiC(0001)-Oberfläche nach Ätzen in Wasserstoff (a) und nach darauffolgender Züchtung von Graphen (b).
Profilometer Stylus Profilometer VEECO Dektak 8 Typ. Anwendungen: 2D- und 3D-Messung der Topographie von Oberflächen bis 200 mm Durchmesser Schichtdickenbestimmung
	Zunahme der Schichtdicke von a-C:H Filmen, die bei verschiedenen Prozessdrücken zwischen 2 Pa und 8 Pa abgeschieden wurden, als Funktion der Anlasstemperatur. Aus S. Peter et al., Diamond and Relat. Mater. 45 (2014) 43.