Lehrveranstaltung Bauelemente der Mikro- und Nanotechnik
Die Einschreibung erfolgt über die OPAL-Plattform, auf der Sie auch weitere Informationen zum Kurs finden.
Studieninhalte
Vorlesungskomplexe- halbleiterphysikalische Grundlagen
- pn-Übergang / Diode
- Grundlagen MOS-Transistoren
- MOS-Transistoren mit Abmessungen im Sub-100-nm-Bereich
- neue MOS-Transistorkonzepte (Multi-Gate-Transistoren, FinFETs usw.)
- Single-Electron-Transistoren
- Quantenbauelemente (Resonanztunneldioden - RTDs usw.)
- Bipolartransistoren mit Abmessungen im Sub-1-µm-Bereich
- Carbon-Nanoröhren
- Welle, Teichen und Ladungsträger im Halbleiter
- Impuls
- Wellenlänge
- Linienbreite
- Tunneleffekt
- Fermiverteilung
- Besetzungswahrscheinlichkeit
- Dotierung
- pn-Übergang und Diode
- Generation / Rekombination
- pn-Übergang
- Diode
- MOS-Transistor
- Substrateffekt
- Spannungsberechnungen am MOS-Transistor
- Gateoxiddicke
- Schwellenspannungsberechnung
- Charge-Sharing-Modell
- Punch-Through-Durchbruch
- Der MOS-Feldeffekttransistor:
Vermittlung von grundlegenden Eigenschaften und des Kennlinienverhaltens von MOSFETs durch Messung
- Simulation eines MOSFETs mit Eldo / PSpice durch Netzwerkanalyse:
Kennenlernen von Eigenschaften idealer und realer MOSFETs, Modellbetrachtung
Studiengänge / -gruppen
- Pflichtfach im 2. Semester des Master-Studiengangs Mikrosysteme und Mikroelektronik (M_MSMN2)
- Wahlpflichtfach im 4. Semester des Master-Studiengangs Biomedizinische Technik - Vertiefungsrichtung Medizingerätetechnik und medizinische Mikrosysteme (M_BTMT4)
Zeitplan aktuelles Semester
| LV | Wochentag | Seminargruppen | Zeit | Ort | Beginn |
|---|---|---|---|---|---|
| V | dienstags | M_MS__1, M_BTMT3 | 11:30-13:00 Uhr | C25.066 | 15.10.2024 |
| Ü | donnerstags, 2. Wo | M_MS__1, M_BTMT3 | 09:15-10:45 Uhr | C25.066 | 17.10.2024 |
| P | donnerstags, 1. Wo | M_MS__1, M_BTMT3 | 07:30-10:45 Uhr | C25.368 | 07.11.2024 |
Lehrmaterialien
- Vorlesungsfolien
- 1 - Einleitung
- 2 - Halbleiterphysikalische Grundlagen
- 3 - Ladungsträger im Halbleiter
- 4 - Ströme in Halbleitern
- 5 - Der pn-Übergang
- 6 - Diode
- 7 - MOS-Transistor: Grundlagen
- 8 - MOS-Transistoren kurzer Kanallänge I
- 9 - MOS-Transistoren kurzer Kanallänge II
- Ergänzung: Technologielaufzettel CMOS-Prozess (EB)
- Ergänzung: MOS-Prozesse (EB)
- Ergänzung: Oxidation - Segregation (EB)
- Übungsblätter
- Übungsblatt 1 (Welle, Teilchen und Ladungsträger im Halbleiter 1)
- Übungsblatt 2 (Welle, Teilchen und Ladungsträger im Halbleiter 2)
- Übungsblatt 3 (pn-Übergang und Diode 1)
- Übungsblatt 4 (pn-Übergang und Diode 2)
- Übungsblatt 5 (Integrierte MOS-Transistoren 1)
- Übungsblatt 6 (Integrierte MOS-Transistoren 2)
- Praktikumsanleitungen
- IE-5 (Der MOS-Feldeffekttransistor (Messungen))
- ES-4 (Simulation eines MOSFETs mit ELDO)
- ES-4 (Simulation eines MOSFETs mit PSpice)
- Formelsammlung
- Aufgabensammlung (EB)
- Kapazitäten am MOS-Transistor (EB)
- Durchbruchsverhalten von Dioden mit zusammengesetztem pn-Übergang (EB)
- Durchbruchsverhalten von integrierten npn-Transistoren (EB)
- Minoritätsverlauf im Bipolartransistor (EB)
- Übersicht FAMOS-Prinzipien (EB)
Prüfung aktuelles Semester (Nach- / Wiederholer)
| Termin: | Montag, den 04.08.2025, 09:00 - 12:00 Uhr |
|---|---|
| Raum: | C10.10 (alt: 2/N010) |
| Typ: | schriftliche Klausur |
| zugelassen: | Taschenrechner (ohne Bluetooth / WLAN), kariertes Papier, Formelblatt wird ausgeteilt |
| Prüfer: | Prof. Horstmann, M.Eng. Hafez |
| Aufsicht: | DI Loebel |
