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Professur für Leistungselektronik
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Herzlich Willkommen auf den Seiten der Professur für Leistungselektronik!

   

Die Forschungsschwerpunkte der Professur für Leistungselektronik befinden sich im Bereich der Robustheit und Zuverlässigkeit von Leistungshalbleiter-Bauelementen. Der Fokus ist vor allem in den Bereichen der Überlastfähigkeit (Kurzschluss, Stoßstrom, Avalanche) und der Lastwechselfestigkeit gesetzt. Dabei werden die unterschiedlichen Halbleitermaterialien Si, SiC, GaN berücksichtigt. Halbleiter- und thermo-mechanische Simulationen auf FEM Basis finden Anwendung, um das Verständnis interner physikalischer Vorgänge im Detail zu beleuchten.
Bis 2020 wurde die Professur von Prof. Dr.-Ing. Prof. h.c. Josef Lutz geleitet und danach von Prof. Dr.-Ing. Thomas Basler übernommen.

Neuigkeiten und Aktuelles

Hocheffizientes Leistungshalbleiter-Modul, das zuverlässiger, schneller und leistungsstärker als bisher Strom in hohen Spannungsklassen schaltet, leistet wichtigen Betrag zur Energiewende --> Artikel der TUC
Chemnitz mischt beim Deutschen Zukunftspreis mit --> Artikel der Zeit

Für seine herausragende Dissertation mit dem Thema: Investigation of thermomechanical fatigue processes in power electronic packages with experiment and simulation wurde Dr. Christian Schwabe mit dem renommierten Johann-Andreas-Schubert-Preis ausgezeichnet. Den kompletten Artikel können Sie hier einsehen.

Professur Leistungselektronik der TU Chemnitz bringt ihre Expertise zur Zuverlässigkeits- und Robustheitsanalyse von Siliziumkarbid-Leistungshalbleitern sowie zur präzisen Lebensdauervorhersage in das EU-Projekt „FASTLANE“ ein. Den kompletten Artikel können Sie hier einsehen.

Der MDR fragt in einem Interview Prof. Thomas Basler zum Thema: "Comeback der Atomkraftwerke?". Der komplette Beitrag ist in der MDR Mediathek ab 5:28 Minuten mit Chemnitzer Beteiligung zu sehen.

Im online Format der PCIM Europe wurde ein Artikel von Prof. Basler mit dem Titel: "Power electronics in the fight against climate change" veröffentlicht

Dr. Dong Xie erhielt für seine Posterpräsentation zur Konferenz IPEMC 2024-ECCE Asien mit dem Thema "Fault Diagnosis for the Cascaded H-Bridge Multilevel Converter Considering Fault Coupling Between Switches and Sensors" eine besondere Auszeichnung.

Weitere Informationen

Für Ihre Abschlussarbeit zum Thema: Optimierung und Analyse einer SiC JFET Kaskode für hartes und schnelles Schalten an induktiver Last, wurde Josephine Dukar mit dem Eleonore-Dießner-Preisausgezeichnet. Den vollständigen Artikel können Sie hier einsehen: Link

Den vollständigen Artikel zur Auszeichnung finden Sie hier:

[...] Ältere Veröffenlichungen

Aktuelle Veröffentlichungen

Nr. Titel Autoren Jahr
1 3rd Quadrant Surge Current SOA of SiC MOSFETs with Different Voltage Class Alaluss, Mohamed* et al. 2024
2 A Similarity-Based Robust Open-Circuit Fault Diagnosis Method for Dual Pulse Rectifiers Deng, Qingli et al. 2024
3 A Thermal Network Model for Multichip Power Modules Enabling to Characterize the Thermal Coupling Effects Wang, Huimin et al. 2024
4 An Accelerated Dynamic Gate Switching Stress Test Concept for SiC MOSFETs at High Drain Drain-Source Voltage (HV-GSS) Herrmann, Clemens* et al. 2024
5 Current Ripple Reduction Approaches in a Heavy-Duty Fuel Cell Truck Gürlek, Yavuz et al. 2024
6 Current Ripple Reduction by combination of Si IGBT and SiC MOSFETs in Heavy-Duty Fuel Cell Trucks Gürlek, Yavuz et al. 2024
7 Digital Twin-Based Lifetime Estimation of SiC Power Modules Mathew, Anu* et al. 2024
8 Energy Balancing in Paralleled SiC MOSFETs During an Avalanche Event Herrmann, Clemens* et al. 2024
9 Fault Diagnosis for the Cascaded H-Bridge Multilevel Converter Considering Fault Coupling Between Switches and Sensors Xie, Dong* et al. 2024
10 Gate Switching Instability of SiC MOSFETs under Simultaneously High Drain-Source Voltage and High Frequency Acceleration Thiele, Sven* et al. 2024