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Zur Steigerung der Geschwindigkeit nanoelektronischer Schaltkreise kommt, neben dem Leitbahnmaterial, auch den Isolatorschichten zwischen den Leitbahnen eine große Bedeutung zu. Seit einiger Zeit ist SiO2 in diesem Bereich durch dichtes bzw. in einem späteren Technologieabschnitt poröses SiCOH, mit relativen Dielektrizitätskonstanten von < 3, ersetzt worden. Die Integration dieses neuartigen Materials ist mit einigen technologischen Anforderungen verbunden. Besonders bei der Strukturierung mittels Trockenätzen kommt es zur unerwünschten Kohlenstoffverarmung des SiCOH-Materials in den Seitenwänden der geätzten Strukturen. Weiterhin kommt es zur Abweichung der Ätztiefe in Abhängigkeit von der Strukturbreite bzw. zur lateralen Unterätzung der Maskierungsschicht.

Durch die Verwendung von Fluorkohlenwasserstoffplasmen, z.B.: CF4, CHF3, c-C4F8, kann parallel zur eigentlichen Ätzreaktion ein Abscheidemechanismus für CF-Polymerschichten genutzt werden. Diese Polymerschichten können unter anderem verwendet werden, um die Seitenwände während des Ätzens gegen eine Beschädigung zu schützen. Der Einfluss des Zusammenspiels aus Ätzchemie (Ätzgas mit Zusätzen, z.B. Ar, CO, O2), Schichtmaterial und einstellbaren Prozessparametern (Reaktordruck, Elektrische Leistung, Magnetfeldkonfiguratuion) auf den Ätz- bzw. Polymerisationsmechanismus und damit auf das Ergebnis der Ätzprozesse ist bis zum heutigen Tag nicht vollständig verstanden worden.

An der Fraunhofer Einrichtung für elektronische Nanosysteme werden seit einiger Zeit Ätzprozesse für die Integration dichter und poröser SiCOH-Materialien in bestehende 28 nm- und 22 nm-Technologien entwickelt. Die Fraunhofer ENAS arbeitet dabei eng mit dem Prozessorhersteller Globalfoundries (ehemals AMD) zusammen.

Ziel der Arbeit ist die Untersuchung der Wirkung verschiedener Fluorkohlenwasserstoffplasmen, Gaszusätze und physikalischer Prozessparameter auf das Ergebnis der Strukturierung dichter und/oder poröser SiCOH-Schichten. Dabei sollen auch Methoden erarbeitet werden, um wichtige Prozessergebnisse zahlenmäßig zu erfassen. Schließlich sollen die Ätzprozesse hinsichtlich eines Minimums an Seitenwandschädigung und Geometrieabweichung optimiert werden.

Die Aufgabe kann auch als Diplomarbeit oder Industriepraktikum an der Fraunhofer ENAS bearbeitet werden.
Bei Interesse wenden Sie sich bitte an:

Kontakt: Dr.-Ing. Sven Zimmermann
Telefon: 0371 531 33671
Email: sven.zimmermann@enas.fraunhofer.de


Assistenz:
Birgit Weber
Telefon: 0371 531 37219
Emai: birgit.weber@enas.fraunhofer.de

Möglich als: Studienarbeit, Bachelorarbeit, Masterarbeit, Diplomarbeit

Themenbereich(e): Sonstiges, Sonstiges

      
      
      
      

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