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Halbleiterphysik
Halbleiterphysik
Halbleiterphysik 

ESCALAB 250Xi Röntgeninduzierte Photoelektronenspektroskopie

Ansprechpartner: 

M.Sc. Franziska Schölzel

Nutzung

  • Oberflächensensitive, zerstörungsfreie elementspezifische Materialcharakterisierung mit bis zu 1 µm räumlicher Auflösung

  • Bestimmung von Schichtdicken

  • Tiefenprofile mit Hilfe von Ionenbestrahlung

Ausstattung

  • Monochromatisierte Al-Kα - Quelle

  • Durchmesser des Messflecks von 1 mm bis 200 µm

  • Digitalkamera mit Mikroskop zur Abbildung der Oberfläche

  • Ionenkanone für Ätzen der Oberfläche und Tiefenprofile

  • Flood gun für Ladungskompensation

  • Techniken:

    • Röntgeninduzierte Photoelektronenspektroskopie (XPS) mit bis zu 1 µm räumlicher Auflösung

    • X-Ray Photoelectron Imaging (XPi)

    • Auger Elektronen Spektroskopie (AES), Scanning Auger Mapping (SAM)

    • Ultraviolet Photoelektronenspektroskopie (UPS)

    • Ionenstreuungsspektroskopie (ISS)