Advanced Integrated Circuit Technologies

Prof. Dr. S. E. Schulz

Umfang & Abschluss

Die Lehrveranstaltungen des Moduls werden in englischer Sprache gehalten.
Lehrformen des Moduls sind Vorlesung und Übung mit einem Umfang von 3 LVS bzw. 1 LVS (§ 4 Studienordnung):

• V: Advanced Integrated Circuit Technologies (3 LVS)
• Ü: Advanced Integrated Circuit Technologies (1 LVS)

Das Modul schließt mit einer Prüfungsleistung in Form einer englischsprachigen Klausur (Zeitdauer 120 Minuten) ab.
In diesem Modul werden 5 Leistungspunkte erworben. Die erfolgreiche Ablegung der Modulprüfung ist Voraussetzung für die Vergabe dieser Leistungspunkte. Die Bewertung der Prüfungsleistung und die Bildung der Modulnote sind in § 10 der Prüfungsordnung geregelt.
Das Modul wird in jedem Studienjahr angeboten und erstreckt sich bei regulärem Studienverlauf auf ein Semester.

Qualifikationsziele & Inhalte

Ziel dieses Moduls ist das Verständnis der Grundlagen und Trends der modernen Technologie integrierter Schaltkreise, Kentnisse der Prozess-Schritte und -Module; Kentnisse der physikalischen Modelle für Halbleiterprozesse, Methodik und Werkzeuge für die Prozess- und Equipmentsimulation, praktische Programmierung.

Inhalte:

• Anforderungen und Trends Semiconductor Technology Roadmap
• Prozesse der Mikro- und Nanoelektronics (Schichtabscheidung, Ionenimplantation, fortgeschrittene Lithographie, Ätzen/Strukturierung, Chemisch Mechanisches Polieren, fortschrittliche Reinigungsverfahren) einschl. neuer Prozess-Schritte
• CMOS- / Bipolar- / BiCMOS-Technologie
• CMOS Prozessmodule für moderne IC-Technologien (STI, Gate, Source/Drain, Interconnect Module, Packaging etc. )
• Spezifische Aspects der sub 100 nm CMOS-Technologie
• Neue Transistor- und Speicherkonzepte; potentielle Post-CMOS-Technologien
• 3D-Technologie zur Erhöhung der Integrationsdichte
• Numerische Methoden für die Halbleiterprozess- und Equipment-Simulation
• Modelle und Programmierung für fortschrittliche Abscheideverfahren (Monte Carlo und molekulardynamische Berechnungen)
• Parameteroptimierungsmethoden / Angewandte Programmierung in Java

Skripte und andere Lehrmaterialien

Lecture notes that can be found here are for students who attended the exam in summer semester 2019 or earlier.

Lecture notes for summer semester 2020 and 2021 can be found on Opal.

The re-exam has been postponed for wintersemester 2020/21.
Re-exam usually taking place in february/march 2021 will be provided as soon as possible when present exams can be carried out. The lecture and seminar in summer semester 2021 will be held digitally, the link for both can be found on Opal.

Skripte und andere Lehrmaterialen sind nur für Studierende der Vorlesung "Advanced Integrated Circuit Technologies" verfügbar.

• Chapter 1 - Contents  (56 KB)
• Chapter 2 - Microelectronics Technology (updated version)  (2.2 MB)
• Chapter 3.1.1 - Special CVD Processes: Metal CVD (W, Cu)  (1.5 MB)
• Chapter 3.1.2 - Special CVD Processes: Metal Nitride CVD - Conductive Diffusion Barriers (updated version)  (2.7 MB)
• Chapter 3.1.3 - Special CVD Processes: Applications of CVD poly-Si, SiO2, SixNy  (825 KB)
• Chapter 3.1.4 - Special CVD Processes: Low-k dielectrics  (2 MB)
• Chapter 3.2 - Epitaxy  (449 KB)
• Chapter 3.3 - Thin Film Deposition by PVD  (2 MB)
• Chapter 3.4 - Atomic Layer CVD  (2.3 MB)
• Chapter 3.5 - Ion Implantation (updated version)  (4.4 MB)
• Chapter 3.6 - Lithography and Mask Process  (2.4 MB)
• Chapter 3.7 - Dry Etching  (1.3 MB)
• Chapter 3.8 - Chemical Mechanical Planarization (CMP) (updated version)  (1.6 MB)
• Chapter 3.9 - Advanced Wet Chemical and Technol Cleaning Processes (updated version 2019)  (1.3 MB)
• Chapter 5.1 - CMOS Manufacturing Process (updated version)  (1.9 MB)
• Chapter 5.2 - Specific Aspects of sub 100 nm CMOS Technology  (4.6 MB)
• Chapter 5.3 - Future Transistor Concepts  (2.6 MB)
• Chapter 6 - 3D Integration (updated version 2019)  (4.6 MB)