Anisotropy of Boron Nitride Thin-Film Reflectivity Spectra by Generalized Ellipsometry

M. Schubert, B. Rheinländer
Universität Leipzig, Institut für Physik und Geowissenschaften
Linnestraße 5 D-04103 Leipzig Germany

E. Franke, H. Neumann
Institut für Oberflächenmodifikation
Permoserstraße 15 D-04303 Leipzig Germany

M. Röder
Technische Universität Chemnitzu, Institut für Physik
Oberflächenanalytik
D-09107 Chemnitz Germany

J. Hahn, F. Richter
Technische Universität Chemnitz, Institut für Physik
Technische Physik / Physik fester Körper
D-09107 Chemnitz Germany

Generalized variable angle spectroscopic ellipsometry (gVASE)over the photon energy range from 1.5 to 3.5 eV has been used to study and distinguish the hexagonal and cubic phases of boron nitride in thin films (50 to 500 nm) deposited by magnetron sputtering onto (100) silicon. Anistropic reflectivity is further used to characterize hexagonal phase films with different microstructures.