Lehrmaterialien
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- Vorlesung
- Übung
- Aufgabensammlung
- Übungsbegleitende Folien
- Wintersemester 2019/20 (Stand 7.5.2020)
- Sommersemester 2020 (Stand 2.7.2020)
- Videomitschnitte zu den Übungen im Sommersemester 2020
- Unterlagen zu den Demonstrationen
- Demonstration Diode
- Demonstration OPV
- Demonstrationsverstärker
- Vorlesungsfolien
- 1 - Passive Bauelemente (Widerstand)
- 2 - Passive Bauelemente (Kondensator)
- 3 - Passive Bauelemente (Induktivitäten)
- 4 - Passive Bauelemente (Elektrische Leitungen)
- 5 - Passive Bauelemente (Optische Leitungen)
- 6 - Passive Bauelemente (Batterien und Akkumulatoren)
- 7 - Dioden (Halbleiterdioden)
- 8 - Bipolartransistor
- 9 - Thyristor
- 10 - Optoelektronische Bauelemente
- Übungsaufgaben
- Vorlesungsfolien
- 1 - Einleitung
- 2 - Halbleiterphysikalische Grundlagen
- 3 - Ladungsträger im Halbleiter
- 4 - Ströme in Halbleitern
- 5 - Der pn-Übergang
- 6 - Diode
- 7 - MOS-Transistor: Grundlagen
- 8 - MOS-Transistoren kurzer Kanallänge I
- 9 - MOS-Transistoren kurzer Kanallänge II
- 10 - Strukturierungsmethoden für den Sub-100-nm-Bereich
- 11 - Bipolar: Grundlagen
- 12 - Bipolar-Technologien
- Ergänzung: Technologielaufzettel CMOS-Prozess
- Ergänzung: MOS-Prozesse
- Ergänzung: Oxidation - Segregation
- Übungsblätter
- Übungsblatt 1 (Welle, Teilchen und Ladungsträger im Halbleiter)
- Übungsblatt 2 (pn-Übergang und Diode)
- Übungsblatt 3 (Integrierte MOS-Transistoren 1)
- Übungsblatt 4 (Integrierte MOS-Transistoren 2)
- Übungsblatt 5 (Integrierte MOS-Transistoren 3)
- Übungsblatt 6 (Integrierte MOS-Transistoren 4)
- Aufgabensammlung
- Kapazitäten am MOS-Transistor
- Durchbruchsverhalten von Dioden mit zusammengesetztem pn-Übergang
- Durchbruchsverhalten von integrierten npn-Transistoren
- Minoritätsverlauf im Bipolartransistor
- Übersicht FAMOS-Prinzipien
- Lecture slides
- Worksheets
- Worksheet 1 (Wave, Particle and Carrier in the Semiconductor)
- Worksheet 2 (pn Junction and Diode)
- Worksheet 3 (Integrated MOS Transistors 1)
- Worksheet 4 (Integrated MOS Transistors 2)
- Worksheet 5 (Integrated MOS Transistors 3)
- Worksheet 6 (Integrated MOS Transistors 4)
-
Die Lehrmaterialien stehen auf der OPAL-Plattform zur Verfügung.
- Lecture slides
- Exercises
- Vorlesungsfolien
- Übungsaufgaben
- Entwurfsbeispiele
- Formelsammlung
- Vorlesungsfolien (werden ausgedruckt bereitgestellt)
- Videos zu den Übungen
- Übungsaufgaben
- Übungsaufgabe Buffer-Design
- Modellparameter für Spice-Simulation
- Vorlesungsfolien
- 1 - Optische Lithografie 1
- 2 - Optische Lithografie 2
- 3 - Elektronenstrahllithografie
- 4 - Röntgenstrahllithografie: Grundlagen
- 5 - Ionentrahllithografie und FIB
- 6 - Auflösungserhöhende Verfahren (RET)
- 7 - Lithografie der nächsten Generation (NGL)
- 8 - Nassätzen
- 9 - Trockenätzen und andere Strukturerzeugungsverfahren (PDF, PPT mit Animation)
- 10 - Reinraumtechnik und Kontaminationskontrolle
- 11 - Nanoschichten, Nanopartikel und selbstorganisierende Nanostrukturen
- 12 - mögliche Grenzen der weiteren Bauelementeverkleinerung
- 13 - einfache Herstellung von Sub-50-nm-Transistoren und -strukturen
- Übungsaufgaben
- Vorlesungsfolien (werden ausgedruckt bereitgestellt)
- Vorlesungsskript (EBS): Band 1, Band 2
- Aufgabensammlung
- Hinweise zum Ausdrucken der Versuchsanleitungen
- Notes for printing the manuals
- Gerätehinweise
- Protokollhinweise
- EBS-1 (HL-Dioden, Gleichrichtung, Stabilisierung)
- EBS-2 (Bipolartransistor, E-Schaltung ohne Rückkopplung)
- EBS-5 (Operationsverstärker)
- EBS-6 (Optoelektronik)
- EBS-7 (Digitale Schaltungen)
- EBS-8 (Der Thyristor)
- EBS-9 (Der MOS-Feldeffekttransistor)
- EBS-10 (Schaltungssimulation mit PSPICE)
- ST-3 (Angewandte digitale Elektronik)
- ES-2 (The static diode model with PSPICE) deutsch, english
- ES-4 (Simulation of a MOSFET using ELDO) deutsch, english
- ES-3 (Integrierter Widerstand)
- ES-6 (CMOS Bandgap Referenz) deutsch, english
- ES-7 (Logikentwurf und -simulation)
- ES-8 (Current Mode Logic) deutsch, english
- ES-8 (Current Mode Logic - ab SS2019)
- ES-9 (Dynamische CMOS-Schaltungstechnik)
- ES-10 (CMOS-Differenzverstärker)
- IE-1 (Schaltzeiten von Transistoren)
- IE-2 (Belastungsgrenzen des Bipolartransistors)
- IE-3 (Funktionsweise und Anwendung von Thyristoren)
- IE-5 (The MOS field effect transistor) deutsch, english
- MT-3 (MIS-CU-Messungen)
- Komplexpraktikum Physikalischer und elektrischer Entwurf (3) (Prozessdaten, Rules-Datei)
- Komplexpraktikum Integrierte Schaltungstechnik (3) (Prozessdaten, Rules-Datei)
- Complex Lab Integrated Circuit Design - Transistor Level (Process Data, Rules File)
- LNS (Lithografie für Nanonsysteme)
