Durchstrahlungselektronenmikroskopie
Seit Anfang 1993 steht das aus HBFG-Mitteln angeschaffte Elektronenmikroskop
der Professur Analytik
an Festkörperoberflächen zur Verfügung. Das Elektronenmikroskop
wird im Rahmen des Elektronenmikroskopischen
Labors (EML) des Instituts
für Physik der TU Chemnitz
betrieben.
Das Gerät gestattet die Auflösung atomarer Strukturen und
wird hauptsächlich zur Untersuchung von Nanostrukturen, z.B. Schichtsystemen
aus dem High-Tech-Bereich, eingesetzt.
Das Elektronenmikroskop ist mit einem abbildenden
Elektronen-Energiefilter (GIF) der Firma GATAN ausgerüstet.
Hier einige technische Daten des Mikroskops:
- Beschleunigungsspannung bis 200kV
- Schottky-Feldemitter
- Super-Twin-Objektiv (Cs=1.2mm, Cc=1.2mm, f=1.7mm)
- Punktauflösung 0.24nm, Linienauflösung 0.14nm, Informationsgrenze 0.12nm
- Kleinster Strahldurchmesser für analytische Zwecke <1nm
Was wird untersucht?
- Nickelsilicid-Heterokontakte (Zus.-arb. mit HMI Berlin)
- Zink-Magnesium-Selenid
- Lanthanoid-Diphthalocyanin-Schichten
- Vanadiumoxid-beschichtetes Rutil (Zus.-arb. mit Prof. Techn. Chemie)
- Poröses Silicium
- Amorphe C-, BN-, CN-, BCN-Schichten (Zus.-arb. mit Prof. Phys. fester Körper / HTW Mittweida)
- Oberflächen- und Grenzflächenphysik
- Physik fester Körper
Leistungsangebot:
Präparation und Untersuchung von Querschnitten durch Festkörper und Schichtsysteme mittels analytischer Durchstrahlungselektronenmikroskopie:
Hell- und Dunkelfeldaufnahmen von einer TiN-Beschichtung auf Silicium
TEM-Querschnittsaufnahme von NiSi2, das bei Temperung in Anwesenheit von Nickel entlang von (111)-Ebenen in Silicium (100)-Oberflächen wächst.
Aufnahme der Grenzfläche zwischen der Siliciumoberfläche und der TiN-Schicht mit atomarer Auflösung. Das zugehörige Beugungsbild erlaubt die Bestimmung von Texturen und deren Orientierung zum Substrat.
Anfragen können an folgende Kontaktadresse gesendet werden:
schulze@physik.tu-chemnitz.de (Steffen Schulze)