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Professur Relaxations-, Strahlungs- und Tunnelprozesse
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Forschungsschwerpunkte |
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- Bestimmung von Franck-Condon-Shifts (Gitterrelaxationsenergien) sowie der Temperaturbhängigkeiten der energetischen Lagen tiefer Störstellen in Halbleitern durch numerische Analysen experimenteller Daten von thermisch aktivierten Photoionisationsbanden (insbesondere für Diamant, GaN und GaAs)
- Theoretische Beschreibung der Korrelation zwischen optischen und elektrischen Eigenschaften tiefer Störstellen in wide-bandgap-Materialien (insbesondere GaN)
- Weiterentwicklung analytischer Modelle zur Beschreibung von Temperaturabhängigkeiten fundamentaler Energielücken in verschiedenen Halbleitermaterialien (insbesondere wide-bandgap-Materialien) sowie Quantum-Dot-Systemen und numerische Anpassungen entsprechender experimenteller Datenfelder
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Forschungsprojekte / Forschungsvorhaben |
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- Interpretation der Temperaturabhängigkeiten von fundamentalen Energielücken in III-V- und II-VI-Verbindungen sowie Exzitonen-Lumineszenzlinien von Quantum-Dot-Strukturen. (Haushaltsfinanzierung)
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Wissenschaftliche Veröffentlichungen |
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Päßler, R.: Dispersion-related description of temperature dependencies of band gaps in semiconductors, Phys. Rev. B 66, 085201 (2002), ISSN: 0163-1829
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Wissenschaftliche Vorträge |
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Päßler, R.: Optical and electrical properties of deep levels in semiconductors, TU Dresden, 24.1.2002
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