Professur Oberflächen- und Grenzflächenphysik

• Herstellung von epitaktischen Silicidschichten auf / in Silicium, elektrische und strukturelle Charakterisierung der Schichten und Grenzflächen
• Wirkung von surfactants beim Wachstum epitaktischer Silicide
• Gesteuertes Wachstum von Inselverteilungen an Oberflächen
• Thermische und galvanomagnetische Eigenschaften von Silicideinkristallen, Silicidschichten und Multilagen
• Wachstum von Al-Ni-Si-Phasen auf (001)Si

• Grenzflächenstruktur und thermische Transporteigenschaften nanoskaliger Silicid/Silicium Multilagen I (04/1999 - 03/2002, DFG)
• Grenzflächenstruktur und thermische Transporteigenschaften nanoskaliger Silicid/Silicium Multilagen II (09/2002 - 12/2003, DFG)
• Surfactant mediated growth of Silicides on Si(001) (Haushaltsfinanzierung)

Hortenbach, H. / Falke, M. / Teichert, S. / Beddies, G. / Hinneberg, H.-J.: Surfactant mediated growth of TiSi₂ on Si(001), Microelectronic Engineering 64, S.157-162, ISSN 0167-9317

Mogilatenko, A. / Falke, M. / Teichert, S. / Hortenbach, H. / Beddies, G. / Hinneberg, H.-J.: Surfactant mediated growth of MnSi_1.7 on Si(001), Microelectronic Engineering 64, S. 211-218, ISSN 0167-9317

Teichert, S. / Hortenbach, H. / Beddies, G. / Hinneberg, H.-J.: Surfactant mediated growth of Silicides, Microelectronic Engineering 60, S. 255-259, ISSN 0167-9317

Falke, M. / Mogilatenko, A. / Filonenko, O. / Henning, A. / Teichert, S. / Beddies, G. / Hinneberg, H.-J. / Humphreys, C.: Epitaxial Silicide Growth on Si(001), ICEM 15 Durban Proceedings 1, S. 771-772, ISBN: 0-620-29294-6

Hortenbach, H.: Surfactant mediated growth of TiSi₂ on Si(001), Vaals, MAM-Kongress, 4.03.2002

Falke, M.: Epitaxial Silicide Growth on Si(001), Durban, ICEM Kongress, 3.09.2002