Professur Elektronische Bauelemente der Mikro- und Nanotechnik
Leitung

Prof. Dr.-Ing. habil. John Thomas Horstmann

Technische Universität Chemnitz

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Kontakt

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Postanschrift: Prof. Dr.-Ing. J. Horstmann
Technische Universität Chemnitz
Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik
Professur Elektronische Bauelemente der Mikro- und Nanotechnik
D-09107 Chemnitz
Anreise: Anreise
Lageplan C - Reichenhainer Straße

Veröffentlichungen

  • Hofmann, A.; Käberlein, A.; Kögel, E.; Ramsbeck, M.; Horstmann, J. T.: A 12-bit SAR ADC in 180 nm Technology for Smart Sensor Systems, 2021 Smart Systems Integration (SSI), 27-29 April 2021, DOI: 10.1109/SSI52265.2021.9466967
  • Hafez, N.; Haas, S.; Loebel, K.-U.; Reuter, D.; Ramsbeck, M.; Schramm, M.; Horstmann, J. T.; Otto, T.: Characterisation of MOS Transistors as an Electromechanical Transducer for Stress, Physica Status Solidi (a) - Applications and Materials Science, 10 January 2018, doi:10.1002/pssa.201700680
  • Ramsbeck, M.; Horstmann, J. T.; Bosse, S.: Analog Sensor Signal Processing and Analog-to-Digital Conversion, Material-Integrated Intelligent Systems - Technology and Applications (Chapter 10), Dezember 2017, ISBN 9783527336067, pp. 257-280, doi:10.1002/9783527679249.ch10
  • Kögel, E.; Ramsbeck, M.; Horstmann, J. T.: SoC Low Differential Air Pressure Sensor (PDF, 662 kB), 11th SmartSystemsIntegration, International Conference and Exhibition on Integration Issues of Miniaturized Systems, Cork, Ireland, 8 - 9 March 2017, ISBN 978-3-95735-057-2, pp. 81-88
  • Hafez, N.; Ramsbeck, M.; Kögel, E.; Haas, S.; Reuter, D.; Schramm, M.; Loebel, K.-U.; Horstmann, J. T.; Gessner, T.: Elektrische Analyse von integrierten Feldeffekttransistoren als elektromechanische Wandler für mechanische Spannung, 13. Chemnitzer Fachtagung Mikrosystemtechnik, 25./26.10.2016, ISBN 978-3-00-039162-0
  • Haas, S.; Hafez, N.; Loebel, K.-U.; Kögel, E.; Ramsbeck, M.; Reuter, D.; Horstmann, J. T.; Gessner, T.: Direktintegrierte Feldeffekttransistoren als elektromechanische Wandler für mechanische Spannungen an Balkenstrukturen, Mikro-Nano-Integration 6. GMM Workshop, Duisburg, 2016 Okt 05-06
  • Hafez, N.; Ramsbeck, M.; Kögel, E.; Haas, S.; Reuter, D.; Schramm, M.; Loebel, K.-U.; Horstmann, J. T.; Gessner, T.: Electrical Analysis of Integrated Field Effect Transistors as Electromechanical Transducer for Stress, 42nd Micro and Nano Engineering, Wien, 2016 Sep 19-23, Poster, p 155
  • Schramm, M.; Haas, S.; Reuter, D.; Loebel, K.-U.; Heinz, S.; Bertz, A.; Horstmann, J. T.; Geßner, T.: Integration von MOS-Transistoren als Wandler für mechanische Spannungen, Poster, DPG-Frühjahrstagung of the Condensed Matter Section, Dresden, 30.3. - 4.4.2014, ISSN 0420-0195
  • Bergbauer, B.; Aschauer, S.; Bähr, A.; Hermenau, K.; Horstmann, J. T.; Lauf, T.; Lechner, P.; Majewski, P.; Meidinger, N.; Reiffers, J.; Richter, R.; Sandow, C.; Schaller, G.; Schopper, F.; Stefanescu, A.; Strüder, L.; Treis, J.: Electrical characterization of different DEPFET designs on die level, 15th International Workshop on Radiation Imaging Detectors (IWORID), Journal of Instrumentation, Volume 9, January 2014, doi:10.1088/1748-0221/9/01/C01020
  • Haas, S.; Schramm, M.; Reuter, D.; Loebel, K.-U.; Bertz, A.; Horstmann, J. T.; Geßner, T.: Direct Integration of Field Effect Transistors as Electro Mechanical Transducer for Stress, Poster, The 7th International Conference on Sensing Technology, Dec. 3 - Dec. 5, 2013, Wellington, New Zealand
  • Haas, S.; Schramm, M.; Heinz, S.; Loebel, K.-U.; Reuter, D.; Bertz, A.; Geßner, T.; Horstmann, J. T.: Direktintegration von Feldeffekttransistoren als elektromechanische Wandler für mechanische Spannungen, Mikrosystemtechnik-Kongress 2013, Aachen, Eurogress, 14.-16. Oktober 2013, Postersession II, ISBN 978-3-8007-3555-6
  • Haas, S.; Schramm, M.; Heinz, S.; Loebel, K.-U.; Reuter, D.; Bertz, A.; Geßner, T.; Horstmann, J. T.: Studies on the piezoresistive effect in MOS transistors for use in integrated MEMS sensors, SmartSystemsIntegration, Amsterdam, The Netherlands, 13-14 March 2013
  • Kallis, K. T.; Horstmann, J. T.; Fiedler, H. L.: Parameter fluctuations in multiple patterned deca-nm scaled CMOS structures, Journal of Nano Research , Vol. 17 (Feb.2012), S. 157-163, doi:10.4028/www.scientific.net/JNanoR.17.157
  • Neubert, M. (EDC GmbH); Heinz, S.; Erler, K.; Horstmann, J. T.; Seidel, R.; Pohle, A. (EDC GmbH); Groß, Ch.; Rönisch, A.; Gabriel, P.D. (TURCK duotec GmbH): A monolithic integrated MEMS in a 350 nm technology for filter monitoring applications (PDF, 2,5 MB), 14th Leibnitz Conference of advanced Science, Sensorsysteme 2012, Lichtenwalde, 18./19.10.2012
  • Neubert, M. (EDC GmbH); Heinz, S.; Erler, K.; Horstmann, J. T.; Seidel, R.; Pohle, A. (EDC GmbH); Groß, Ch.; Rönisch, A.; Gabriel, P.D. (TURCK duotec GmbH): A monolithic integrated MEMS in a 350 nm technology for filter monitoring applications, 11. Chemnitzer Fachtagung Mikrosystemtechnik, 23./24.10.2012, ISBN 978-3-00-039162-0
  • Fritzsch, M.; Seidel, R.; Horstmann, J. T.: Nanoampere Stromquelle für integrierte analoge Low-Power-Schaltungstechnik (PDF, 1,2 MB), 11. Chemnitzer Fachtagung Mikrosystemtechnik, 23./24.10.2012, ISBN 978-3-00-039162-0
  • Haas, S.; Schramm, M.; Heinz, S.; Loebel, K.-U.; Reuter, D.; Bertz, A.; Geßner, T.; Horstmann, J. T.: Untersuchungen zum piezoresistiven Effekt in MOS-Transistoren für die Anwendung in integrierten MEMS-Sensoren (PDF, 1,5 MB), 11. Chemnitzer Fachtagung Mikrosystemtechnik, 23./24.10.2012, ISBN 978-3-00-039162-0
  • Kallis, K. T.; Keller, L. O.; Küchenmeister, C.; Horstmann, J. T.; Knoch, J.; Fiedler, H. L.: Nanofin based filaments for sensor applications, Proceedings of the 36th International Conference on Micro- and Nano-Engineering (MNE), Microelectronic Engineering, Volume 88, Issue 8 (Aug. 2011), pp. 2290-2293, doi:10.1016/j.mee.2011.02.088
  • Heinz, S.; Erler, K.; Walter, T.; Seidel, R.; Horstmann, J. T.; Neubert, M. (EDC GmbH); Pohle, A. (EDC GmbH); Gross, Ch. (TURCK duotec GmbH); Gabriel, P. D. (TURCK duotec GmbH): Combining CMOS and MEMS technologies in a monolithic system for observing filter pollutions, Proceedings of the 37th Annual Conference of the IEEE Industrial Electronics Society, Melbourne, Australia, November 7-10, ISBN 978-1-61284-971-3, ISSN 1553-572X, doi:10.1109/IECON.2011.6119973
  • Kallis, K. T.; Horstmann, J. T.; Küchenmeister, C.; Keller, L. O.; Fiedler, H. L.: Enhanced lithography independent MOSFET-fabrication on bulk silicon with sub-50 nm-dimensions, Transactions on Systems, Signals and Devices, Issues on Sensors, Circuits & Instrumentation Systems, Vol. 5, No. 4 (Dec. 2011), ISBN 978-3-8440-0678-0
  • Heinz, S.; Boll, M.; Horstmann, J. T.; Lange, A.; Neumann, U.; Posvic, J.; Seifert, S.; Zielke, S.: The Charge Sensing Device Approach - Sensors for Textile Machines using the natural electrostatic Charge of the Yarn, IEEE International Symposium on Industrial Electronics (ISIE-2010), Bari, Italy, July 4-7, 2010, ISBN 978-1-4244-6391-6, doi:10.1109/ISIE.2010.5637843
  • Fritzsch, M.; Schramm, M.; Erler, K.; Heinz, S.; Horstmann, J. T.; Eckoldt, U.; Kittler, G.; Lerner, R.; Schottmann, K.: Optimization of Trench Manufacturing for a new High-Voltage Semiconductor Technology, IEEE International Symposium on Industrial Electronics (ISIE-2010), Bari, Italy, July 4-7, 2010, ISBN 978-1-4244-6391-6, doi:10.1109/ISIE.2010.5637007
  • Kallis, K. T.; Keller, L. O.; Küchenmeister, C.; Horstmann, J. T.; Knoch, J.; Fiedler, H. L.: Nanofin based filaments for sensor applications, 36th International Conference on Micro- and Nanoengineering, MNE'10, September 19-22, 2010, Genoa, Italy, doi:10.1016/j.mee.2011.02.088
  • Kittler, G.; Lerner, R.; Eckoldt, U.; Schottmann, K.; Fritzsch, M.; Schramm, M.; Erler, K.; Heinz, S.; Horstmann, J. T.: Single Trench Isolation for a 650 V SOI Technology with Low Mechanical Stress, 2010 IEEE International SOI Conference, 11-14 October 2010, San Diego, California, ISBN 978-1-4244-9130-8, doi:10.1109/SOI.2010.5641368
  • Köhler, D.; Pohle, A.; Konietzka, S.; Heinz, S.; Lange, A.; Billep, D.; Forke, R.; Horstmann, J. T.; Loebel, K.-U.; Ramsbeck, M.: Hochpräzise integrierte Sensorsignalverarbeitung zur Anregung, Kalibrierung und Auswertung von MEMS-Gyroskopen, 10. Chemnitzer Fachtagung Mikrosystemtechnik, Chemnitz, 20.-21.10.2010, ISBN 978-3-00-032052-1
  • Horstmann, J. T.; Kallis, K. T.; Fiedler, H. L.: Reliability and Electrical Parameter Fluctuations of sub-50nm MOS-Transistors, Micromaterials and Nanomaterials 12 (2010), pp. 32-38, ISSN 1619-2486
  • Kallis, K. T.; Horstmann, J. T.; Küchenmeister, C.; Keller, L. O.; Fiedler, H. L.: Cost-Effective MOSFET-Transistors on Bulk Silicon in the Deep Sub-50 nm-Region, 6th International Multi-Conference on Systems, Signals and Devices, SSD '09, March 23-26, 2009, Djerba, Tunisia, ISBN 978-9973-959-16-8, doi:10.1109/SSD.2009.4956758
  • Kallis, K. T.; Horstmann, J. T.: Parameter fluctuations on lithography independent nanowire MOSFETs on bulk silicon, 2nd International Conference from Nanoparticles and Nanomaterials to Nanodevices and Nanosystems 2009, Juni 28 - July 3, 2010, Rhodos, Greece
  • Horstmann, J. T.; Kallis, K. T.; Fiedler, H. L.: Experimental Threshold Voltage Fluctuations of 30-nm-NMOS-Transistors Manufactured by a Lithography Independent Structure Definition Process, 34th International Conference on Micro and Nano Engineering 2008, MNE 2008, Athens, Greece, 15-18 September 2008, erschienen in Microelectronic Engineering 86 (2009), pp. 1057-1059

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