Lehrmaterialien

• Vorlesungsskript: Band 1, Band 2
• übungsbegleitende Folien: WS 2012/13
• Aufgabensammlung: Leseversion, Druckversion, Lösungen
• Demonstration Diode
• Demonstrationsverstärker: bipolar diskret, bipolar IC, Röhre

• Übungsaufgaben
  • 2 - Kondensator, Spule
  • 3 - pn-Übergang
  • 4 - Diode
  • 5 - Bipolartransistor
  • 6 - Thyristor
  • 7 - Optoelektronik

• Vorlesungsfolien
  • 1 - Einleitung
  • 2 - Halbleiterphysikalische Grundlagen
  • 3 - Ladungsträger im Halbleiter
  • 4 - Ströme in Halbleitern
  • 5 - Der pn-Übergang (alt)
  • 6 - Diode
  • 7 - MOS-Transistor: Grundlagen
  • 8 - MOS-Transistoren kurzer Kanallänge I (alt)
  • 9 - MOS-Transistoren kurzer Kanallänge II (alt)
  • 10 - Strukturierungsmethoden für den Sub-100-nm-Bereich (alt)
  • 11 - Bipolar: Grundlagen (alt)
  • 12 - Bipolar-Technologien (alt)
    
    
  • Ergänzung: Technologielaufzettel CMOS-Prozess
  • Ergänzung: MOS-Prozesse
  • Ergänzung: Oxidation - Segregation
• Übungsblätter
  • Übungsblatt 1
  • Übungsblatt 2
• Aufgabensammlung
• Kapazitäten am MOS-Transistor
• Durchbruchsverhalten von Dioden mit zusammengesetztem pn-Übergang
• Durchbruchsverhalten von integrierten npn-Transistoren
• Minoritätsverlauf im Bipolartransistor
• Übersicht FAMOS-Prinzipien

• Lecture slides
  • 1 - Introduction
  • 2 - Semicondcuctor Basics
  • 3 - Charges in Semiconductors
  • 4 - Currents in Semiconductors
  • 5 - The pn-junction
  • 6 - The diode
  • 7 - MOS-Transistor Basics
  • 8 - Short-Channel MOS-Transistors I (old)
  • 9 - Short-Channel MOS-Transistors II (old)
• Tutorials
  • Tutorial 1

• Vorlesungsfolien
  • 1 - Allgemeines
  • 2 - Einkanaltechnik
  • 3 - CMOS-Logik
  • 4 - TG-Logik
  • 5 - Dynamische Logikschaltungen
  • Stromsteuerlogik
• Aufgabensammlung
• Übungsaufgabe Buffer-Design

• Lecture slides
  • 1 - Specifics of integrated Circuits
  • 2 - NMOS-Technique
  • 3 - CMOS-Logic
  • 4 - TG-Logic
  • 5 - Dynamical MOS Logic
  • Current Mode Logic
• Exercises
• Exercise Buffer Design

• Berechnung Differenzverstärker mit passiver Transistorlast / Widerstandslast
• Berechnung Differenzverstärker mit Transistorlast
• Berechnung Differenzverstärker mit aktiver Transistorlast
• Berechnung Differenzverstärker mit Lastkaskode
• Berechnung Differenzverstärker mit gekreuzter Transistorlast
• Berechnung Differenzverstärker mit Parallellast
• Berechnung CMOS-Vierquadrantenmultiplizierer
• Integrierte Hochvolt-Schaltungstechnik

• Vorstellung der Lehrveranstaltung

• 1 - Optische Lithografie 1
• 2 - Optische Lithografie 2
• 3 - Elektronenstrahllithografie
• 4 - Röntgenstrahllithografie: Grundlagen
• 5 - Ionentrahllithografie und FIB
• 6 - Auflösungserhöhende Verfahren (RET)
• 7 - Lithografie der nächsten Generation (NGL)
• 8 - Nassätzen
• 9 - Trockenätzen und andere Strukturerzeugungsverfahren (PDF, PPT mit Animation)
• 10 - Reinraumtechnik und Kontaminationskontrolle
• 11 - Nanoschichten, Nanopartikel und selbstorganisierende Nanostrukturen
• 12 - mögliche Grenzen der weiteren Bauelementeverkleinerung
• 13 - einfache Herstellung von Sub-50-nm-Transistoren und -strukturen

• Vorlesungsfolien
  • Einheit 1 - Einordnung
  • Einheit 2 - Bauelemente
  • Einheit 3 - Technologien der Mikroelektronik
  • Einheit 4 - Integrierte Schaltungstechnik
  • Einheit 5 - Wirtschaftliche Aspekte
• Vorlesungsskript (EBS): Band 1, Band 2
• Aufgabensammlung

• Übersicht (81 MB)
• Praktikumsversuch IST ES-10
• Studienarbeit Hochvoltverstärker (39 MB)
• Designflow digitale ASICs
• Ätzanleitung für PCB-Herstellung
• praktikumsbegleitende Folien 5. Einheit
• praktikumsbegleitende Folien 7. Einheit

• Hinweis zum Ausdrucken der Versuchsanleitungen
• Gerätehinweise
• Protokollhinweise
• EBS-1 (HL-Dioden, Gleichrichtung, Stabilisierung)
• EBS-2 (Bipolartransistor, E-Schaltung ohne Rückkopplung)
• EBS-5 (Operationsverstärker)
• EBS-6 (Optoelektronik)
• EBS-7 (Digitale Schaltungen mit TTL-Bausteinen)
• EBS-8 (Der Thyristor)
• EBS-9 (Der MOS-Feldeffekttransistor)
• EBS-10 (Schaltungssimulation mit PSPICE)
• ST-3 (Angewandte digitale Elektronik)
• ES-2 (Parameterermittlung für statisches Diodenmodell) deutsch, english
• ES-4 (Simulation eines MOSFETs mittels ELDO)
• ES-3 (Integrierter Widerstand)
• ES-6 (CMOS Bandgap Reference)
• ES-7 (Logikentwurf und -simulation)
• ES-8 (Current Mode Logic) deutsch, english
• ES-9 (Dynamische CMOS-Schaltungstechnik)
• ES-10 (CMOS-Differenzverstärker)
• IE-1 (Schaltzeiten von Transistoren)
• IE-2 (Belastungsgrenzen des Bipolartransistors)
• IE-3 (Funktionsweise und Anwendung von Thyristoren)
• IE-5 (The MOS field effect transistor)
• MT-3 (MIS-CU-Messungen)
• Komplexpraktikum Physikalischer und elektrischer Entwurf (3) (Prozessdaten, Rules-Datei)
• LNS (Lithografie für Nanonsysteme)