Professur für Leistungselektronik und elektromagnetische Verträglichkeit

Prof. Dr.-Ing Josef Lutz


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Technische Universität Chemnitz
Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik
Professur für Leistungselektronik und elektromagnetische Verträglichkeit
09126 Chemnitz
Reichenhainer Straße 70
Adolf-Ferdinand-Weinhold-Bau, Raum H 123
 
Tel:+49 371 531-33618
 
Fax: +49 371 531-833618
 
josef.lutz@...
 



Zur Person

Josef Lutz studierte Physik an der Universität Stuttgart, ab 1983 arbeiterte er bei Semikron Elektronik, in Nürnberg. Arbeitsschwerpunkte waren zuerst die Entwicklung von GTO-Thyristoren, dann die Entwicklung von schnellen Dioden. Er führte die Controlled Axial Lifetime (CAL) Diode ein und hält eine Reihe Patente im Gebiet schneller Dioden. 1999 promovierte er in Elektrotechnik an der Universität Ilmenau. Seit August 2001 ist er Professor für Leistungselektronik und elektromagnetische Verträglichkeit an der TU Chemnitz. Er ist Mitglied des Vorstands des ZfM, des International Steering Committee der EPE, des Fachbeirats der PCIM ,des Programmkomitees der ISPS und des technischen Programmkomitees der CIPS. 2005 wurde er von der nordkaukasischen technischen Universität Stavropol zum Ehrenprofessor ernannt.



Einige aktuelle Publikationen
Nr. Titel Autoren Jahr
1 A Simplified Algorithm for Predicting Power Cycling Lifetime in Direct Drive Wind Power Systems D'Arco, Salvatore et al. 2012
2 Challenges Regarding Parallel Connection of SiC JFETs Peftitsis, Dimosthenis et al. 2012
3 Characterisation and evaluation of 1700V SiC-MOSFET modules for use in an active power filter in aviation Liebig, Sebastian et al. 2012
4 Characterisation and evaluation of 1700V SiC-MOSFET modules for use in an active power filter in aviation Liebig, Sebastian et al. 2012
5 Das Netzproblem und die Leistungselektronik Lutz, Josef 2012
6 Destruction Behavior of Power Diodes beyond the SOA Limit Baburske, Roman et al. 2012
7 Diodes using the SPEED concepts: Trade-off between Switching Ruggedness and Surge Current Ruggedness Pfaffenlehner, Manfred et al. 2012
8 Dynamic avalanche in bipolar power devices Lutz, Josef et al. 2012
9 Für Solar Lutz, Josef 2012
10 Halbleiter-Leistungsbauelemente - Physik, Eigenschaften, Zuverlässigkeit Lutz, Josef 2012
11 Influence of thermal cross-couplings on power cycling lifetime of IGBT power modules Poller, Tilo et al. 2012
12 Keine halben Sachen Lutz, Josef 2012
13 Mechanical analysis of press-pack IGBTs Poller, Tilo et al. 2012
14 Perspektiven fortschrittlicher und kritischer Wissenschaft und Kultur : Dokumentation 7. Offene Akademie 2011 Klug, Christoph et al. 2012
15 Power Cycling Capability of New Technologies in Power Modules for Hybrid Electric Vehicles Herold, Christian et al. 2012
16 Short-Circuit Behaviour of High-Voltage IGBTs in Circuits with di/dt Snubbers Basler, Thomas et al. 2012
17 Short-Circuit Ruggedness of High-Voltage IGBTs Lutz, Josef et al. 2012
18 Stoßstromfeste Halbleiterdiode mit weichem Abschaltverhalten und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterdiode Baburske, Roman et al. 2012
19 Surge Current Capability of IGBTs Basler, Thomas et al. 2012
20 Technologie und pysikalische Eigenschaften strahlungsinduzierter Zentren in Silizium Klug, Jan N. 2012
21 The Effect of Selenium Deep Energy Levels in Si on the Turn-Off Behaviour of Diodes Pertermann, Eric et al. 2012
22 Verfahren zur Herstellung einer vergrabenen n-dotierten Halbleiterzone in einem Halbleiterkörper und Halbleiterbauelement Schulze, Hans-Joachim et al. 2012
23 Wie kann die Versorgung mit elektrischer Energie zu 100% aus regenerativen Quellen erfolgen? Lutz, Josef 2012
24 Challenges regarding parallel-connection of SiC JFETs Peftitsis, Dimosthenis et al. 2011
25 Concept and prototyping of an active mains filter for aerospace application Liebig, Sebastian et al. 2011
26 Design and evaluation of state of the art rectifiers dedicated for a 46 kW E-ECS aerospace application with respect to power density and reliability Liebig, Sebastian et al. 2011
27 Dynamik des Ladungsträgerplasmas während des Ausschaltens bipolarer Leistungsdioden Baburske, Roman 2011
28 Extraction of Power Cycles in Offshore Wind Power Applications Bohlländer, Marco et al. 2011
29 Filament-Induced Thermomigration of an Aluminium Drop at the Cathode-Side of High-Voltage Power Diodes Schulze, Hans-Joachim et al. 2011
30 Freigesetzte Radioaktivität aus der Reaktorkatastrophe von Fukushima im Pazifik und in der Nahrungskette Moldzio, Stephan et al. 2011
31 Freilaufdioden aus Silizium - Schaltverhalten, Robustheit Lutz, Josef et al. 2011
32 Hybrid Drive as a variation of a gear box Schön, Wolfgang et al. 2011
33 Liquid Cooling methods for power electronics in an automotive environment Baumann, Mathias et al. 2011
34 n-type doping of silicon by proton implantation Klug, Jan et al. 2011
35 On the Origin of Thermal Runaway in a Trench Power MOSFET Dibra, Donald et al. 2011
36 Optimization of Diodes Using the SPEED Concept and CIBH Pfaffenlehner, Manfred et al. 2011
37 Reliability Investigations of Improved Power Modules - Results from EfA-Project Hensler, Alexander et al. 2011
38 SEMICONDUCTOR DIODE RESISTIVE TO SURGE CURRENT WITH SOFT RECOVERY BEHAVIOR, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME Baburske, Roman et al. 2011
39 Semiconductor Power Devices : Physics, Characteristics, Reliability Lutz, Josef et al. 2011
40 The Influence of Asymmetries on the Parallel Connection of IGBT Chips under Short-Circuit Condition Basler, Thomas et al. 2011
41 Thermal Impedance Monitoring during Power Cycling Tests Hensler, Alexander et al. 2011
42 Thermal Impedance Spectroscopy of Power Modules Hensler, Alexander et al. 2011
43 Thermal Impedance Spectroscopy of Power Modules During Power Cycling Hensler, Alexander et al. 2011
44 Verfahren zur Messung der Junction-Temperatur bei Leistungshalbleitern in einem Stromrichter Lutz, Josef et al. 2011
45 A new diode structure with inverse injection dependency of emitter efficiency (IDEE) Baburske, Roman et al. 2010
46 Analysis of the destruction mechanism during reverse recovery of power diodes Baburske, Roman et al. 2010
47 Comparison of the Mechanical Load in Solder Joints Using SiC and Si Chips Poller, Tilo et al. 2010
48 DT and Over Temperature Protection of Smart Power MOSFETs using Intergrated Seebeck Difference Temperature Sensors Donald, Dibra et al. 2010
49 Dynamic Avalanche in Bipolar Power Devices Lutz, Josef et al. 2010
50 Effects of Negative Differential Resistance in High Power Devices and some Relations to DMOS Structures Baburske, Roman et al. 2010
51 Elektrofahrzeuge Gesamttext : Bedeutung, Stand der Technik, Handlungsbedarf Böcker, Joachim et al. 2010
52 First Power Cycling Results of Improved Packaging Technologies for Hybrid Electrical Vehicle Applications Hensler, Alexander et al. 2010
53 Halbleiter-Leistungsbauelemente für die Traktionstechnik - aktuelle Entwicklungen Lutz, Josef et al. 2010
54 Halbleiterleistungsbauelemente – Wärmemanagement und Zuverlässigkeit Feller, Marco et al. 2010
55 Höchste Anforderungen an die Zuverlässigkeit Lutz, Josef 2010
56 Hybridfahrzeuge: Leistungsdichte weiter erhöhen Lutz, Josef 2010
57 IGBT Self-Turn-Off under Short-Circuit Condition Basler, Thomas et al. 2010
58 Insight into thermal management concepts for power electronics modules in automotive application Baumann, Mathias et al. 2010
59 Method and Test Assembly for Power Cycling Tests at Inverter Conditions Hensler, Alexander et al. 2010
60 Perspektiven fortschrittlicher und kritischer Wissenschaft und Kultur : Tagungsband 6. Offene Akademie 2010 Klug, Christoph et al. 2010
61 Power Cycling Tests at High Temperatures with IGBT Power Modules for Hybrid Electrical Vehicle Applications Hensler, Alexander et al. 2010
62 Power devices and modern micro- and nanotechnologies Stecher, Matthias et al. 2010
63 The Trade-Off between Surge-Current Capability and Reverse-Recovery Behaviour of High-Voltage Power Diodes Baburske, Roman et al. 2010
64 Thermal-mechanical analysis of solder layers in power modules under superimposed cycling conditions Poller, Tilo et al. 2010
65 VDE Studie Elektrofahrzeuge : Bedeutung, Stand der Technik, Handlungsbedarf Böcker, Joachim et al. 2010
66 100% erneuerbare Energien? – Eine Frage des Willens, nicht der Technik Lutz, Josef 2009
67 DC/DC-Wandler zur Einbindung von Doppelschichtkondensatoren in das Fahrzeugenergiebordnetz Polenov, Dieter (Dipl.-Ing.) 2009
68 Halbleiterbauelement mit temporärem Feldstoppbereich und Verfahren zu dessen Herstellung Lutz, Josef et al. 2009
69 IGBT-Modules: Design for reliability Lutz, Josef 2009
70 On the formation of stationary destructive cathode-sidefilaments in p+-n−-n+ diodes Baburske, Roman et al. 2009
71 Passive turn-on process of IGBTs in Matrix converter applications Baburske, Roman et al. 2009
72 Power Electronics for Power Cycling Capability at High Temperatures and High Temperature Swings Hensler, Alexander et al. 2009
73 Power Electronics in the Powertrain - An Optimum of Integration Vogel, Frank et al. 2009
74 Seebeck difference - temperature sensors integrated into smart power technologies Dibra, Donald et al. 2009
75 Short circuit III in high power IGBTs Lutz, Josef et al. 2009
76 Silizium- und SiC-Leistungsdioden unter besonderer Berücksichtigung von elektrisch-thermischen Kopplungseffekten und nichtlinearer Dynamik Felsl, Hans Peter (Diplom-Physiker) 2009
77 The influence of turn-off dead time on the reverse-recovery behaviour of synchronous rectifiers in automotive DC/DC-converters Polenov, Dieter et al. 2009
78 The nn+-Junction as the Key to Improved Ruggedness and Soft Recovery of Power Diodes Lutz, Josef et al. 2009
79 Thermal-Mechanical Behaviour of Solder Layers in Power Modules Poller, Tilo et al. 2009
80 Analysis of a p+p-n-n+ diode structure Chen, Min et al. 2008
81 Charge-carrier Plasma Dynamics during the Reverse-recovery Period in p+-n--n+ diodes Baburske, Roman et al. 2008
82 Effects of Metallisation and Bondfeets in 3.3kV Free-Wheeling Diodes at Surge Current Conditions Heinze, Birk et al. 2008
83 Halbleiterbauelement mit verbesserter Robustheit Lutz, Josef et al. 2008
84 Investigation of Surge Current Capability of SiC MPS Diodes Neumeister, Matthias et al. 2008
85 Model for Power Cycling lifetime of IGBT Modules – various factors influencing lifetime Bayerer, Reinhold et al. 2008
86 Power cycling induced failure mechanisms in the viewpoint of rough temperature environment Lutz, Josef 2008
87 Power Cycling of IGBT- Modules with superimposed thermal cycles Feller, Marco et al. 2008
88 Ruggedness Analysis of 3.3kV High Voltage Diodes considering various Buffer Structures and Edge Terminations Heinze, Birk et al. 2008
89 Scaling of Temperature Sensors for Smart Power MOSFETs Dibra, Donald et al. 2008
90 Surge Current Ruggedness of Silicon Carbide Schottky- and Merged-PiN-Schottky Diodes Heinze, Birk et al. 2008
91 The CIBH Diode : Great Improvement for Ruggedness and Softness of High Voltage Diodes Felsl, Hans Peter et al. 2008
92 The Influence of Field- and Diffusion-Current Components on the Charge-carrier Plasma Dynamics during Turn-off process of p+n-n+ Diodes Baburske, Roman et al. 2008
93 A diode structure with anode side buried p doped layers for damping of dynamic avalanche Chen, Min et al. 2007
94 A method to investigate the cycling lifetime of supercaps Keutel, Thomas et al. 2007
95 a-C:H/Si HETEROSTRUCTURE ELECTRICAL PROPERTIES DEGARDATION IN WATER MEDIUM UNDER ELECTRIC FIELD EFFECT Sinelnikov, Boris et al. 2007
96 Cascaded Boost-Buck DC/DC-Converter for Dual-Voltage Automotive Power-Nets with Overlapping Voltage Ranges Polenov, Dieter et al. 2007
97 Entwicklungstrends bei Halbleiter-Bauelementen für die Traktionstechnik Lutz, Josef 2007
98 Influence of parasitic inductances on transient current sharing in parallel connected synchronous rectifiers and Schottky-barrier diodes Polenov, Dieter et al. 2007
99 Influence of the base contact on the electrical characteristics of SiC BJTs Lee, Hyung-Seok et al. 2007
100 Leistungshalbleiterbauelement für Sperrspannungen über 2000V Lutz, Josef et al. 2007
101 Objections against the current limits for microwave radiation Lutz, Josef et al. 2007
102 Power Cycling Induced Failure Mechanisms in Solder Layers Herrmann, Tobias et al. 2007
103 Power Cycling of IGBT-Modules with different current waveforms Feller, Marco et al. 2007
104 Ruggedness of high voltage diodes under very hard Commutation Conditons Heinze, Birk et al. 2007
105 Synthese und Erforschung der physikalischen Eigenschaften eines a-C:H Filmes, abgeschieden aus dem Radiofrequenzplasma Sinelnikow, B.M et al. 2007
106 Thyristors and IGBTs with integrated self-protection functions Niedernostheide, Franz-Josef et al. 2007
107 Verfahren zur Passivierung einer schnellen Leistungsdiode durch eine Passivierungsschicht aus amorphem Kohlenstoff Lutz, Josef et al. 2007
108 Zur Zuverlässigkeit von Leistungsbauelementen bei 200°C Sperrschichttemperatur Veit, Björn et al. 2007
109 Desaturated Switching of Trench - Fieldstop IGBTs Bohlländer, Marco et al. 2006
110 Energiespeicher im Niederspannungsnetz zur Integration dezentraler, fluktuierender Energiequellen Bodach, Mirko (Dipl.-Ing.) 2006
111 Halbleiter-Leistungsbauelemente : Physik, Eigenschaften, Zuverlässigkeit Lutz, Josef 2006
112 Lastwechselfestigkeit von modernen Aufbau- und Verbindungstechniken bei hohen Temperaturhüben Amro, Raed (Dipl.-Ing.) 2006
113 Verfahren zur Herstellung einer vergrabenen n-dotierten Halbleiterzone in einem Halbleiterkörper und Halbleiterbauelement Siemieniec, Ralf et al. 2006
Abgefragt in der Universitätsbibliographie der TU-Chemnitz.